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龍圖騰網恭喜帝京半導體科技(蘇州)有限公司申請的專利半導體CVD設備用超高真空隔離傳輸閥獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119982990B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510475617.7，技術領域涉及：F16K31/122；該發明授權半導體CVD設備用超高真空隔離傳輸閥是由黎糾;段宇;金埈煥;李宰明;孫志開設計研發完成，并于2025-04-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體CVD設備用超高真空隔離傳輸閥在說明書摘要公布了：本發明公開了半導體CVD設備用超高真空隔離傳輸閥，涉及真空隔離傳輸閥技術領域，包括閥體和閥板組件，所述閥體的表面開設有閥口，所述閥板組件設置于閥體的底部，所述閥板組件包括氣缸缸體、進氣端口、空心活塞桿、電子閥、閥板主體、氣囊和平移副板，所述氣缸缸體的底部設置有進氣端口，所述空心活塞桿的底部嵌入有電子閥，所述閥板主體的側面內部內嵌有氣囊。該半導體CVD設備用超高真空隔離傳輸閥，無需復雜的傳動部件，能夠有效節省安裝空間，特別適用于空間緊湊的場合，且減少了機械傳動過程中的間隙、磨損等因素對運動精度的影響，而且整體結構相對簡單，減少了機械部件之間的摩擦和磨損，降低了因部件損壞而需要更換的頻率。

本發明授權半導體CVD設備用超高真空隔離傳輸閥在權利要求書中公布了：1.半導體CVD設備用超高真空隔離傳輸閥，包括閥體（1）和閥板組件（3），其特征在于：所述閥體（1）的表面開設有閥口（2），所述閥板組件（3）設置于閥體（1）的底部，所述閥板組件（3）包括氣缸缸體（301）、進氣端口（302）、空心活塞桿（303）、電子閥（304）、閥板主體（305）、氣囊（306）和平移副板（307），所述氣缸缸體（301）的底部設置有進氣端口（302），且氣缸缸體（301）的頂部穿設有空心活塞桿（303），所述空心活塞桿（303）的底部嵌入有電子閥（304），且空心活塞桿（303）的頂部固定有閥板主體（305），所述閥板主體（305）的側面內部內嵌有氣囊（306），且氣囊（306）的側面連接有平移副板（307），所述閥板主體（305）的內部呈空心結構，且氣囊（306）通過閥板主體（305）與空心活塞桿（303）相連通，所述空心活塞桿（303）的底部于電子閥（304）一側設置有排氣軟管（4），且排氣軟管（4）的端部連接有三通閥（5），所述三通閥（5）的頂部為第一端口其與排氣軟管（4）相連接，且三通閥（5）的側面為第二端口，所述三通閥（5）的底部為第三端口，所述氣缸缸體（301）底部于進氣端口（302）的一側設置有排氣端口（6），且排氣端口（6）與三通閥（5）的第三端口相連接，包括下述使用步驟： 步驟一：通過進氣端口（302）向氣缸缸體（301）內部注氣，使得空心活塞桿（303）攜帶閥板主體（305）、平移副板（307）向上移動至通道關閉位置，而后向氣缸缸體（301）內部持續注氣，同時電子閥（304）打開，從而使得多余氣體穿過空心活塞桿（303）、閥板主體（305）后進入氣囊（306）內部，氣囊（306）因此鼓脹從而推動平移副板（307）平移以與閥體（1）內壁緊貼，此時平移副板（307）封閉閥口（2）使得腔室之間的通道得以封閉； 步驟二：需要打開腔室之間的通道時，此時三通閥（5）的第一端口、第三端口優先打開，而第二端口暫時關閉，使得氣囊（306）中的氣體穿過閥板主體（305）、空心活塞桿（303）、排氣軟管（4）、第一端口、第三端口后從排氣端口（6）處向外排出，此時平移副板（307）收縮回移，而后第二端口打開，使得氣缸缸體（301）內部穿過第三端口后從排氣端口（6）處向外排出，由此實現平移副板（307）先回縮而后閥板主體（305）攜帶其下降。

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