恭喜上海新微技術研發中心有限公司汪巍獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜上海新微技術研發中心有限公司申請的專利基于光子晶體的波導型鍺光電探測器及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112331725B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910717527.9，技術領域涉及：H10F77/40；該發明授權基于光子晶體的波導型鍺光電探測器及制備方法是由汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艷;余明斌設計研發完成，并于2019-08-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本基于光子晶體的波導型鍺光電探測器及制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種基于光子晶體的波導型鍺光電探測器及制備方法，所述鍺光電探測器包括：硅波導結構；鍺光電探測器，連接于所述硅波導結構，所述鍺光電探測器的鍺吸收區及所述鍺吸收區外圍的周邊硅材料區中具有周期性排列的介質材料，以形成具有慢光效應的光子晶體結構。本發明與傳統波導型鍺光電探測器相比，可以實現更高效的光吸收效率，通過減小器件尺寸，實現低暗電流、低電容和高響應度光電探測器制備。
本發明授權基于光子晶體的波導型鍺光電探測器及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于光子晶體的波導型鍺光電探測器，其特征在于，所述鍺光電探測器包括：硅波導結構；鍺光電探測器，連接于所述硅波導結構，所述鍺光電探測器的鍺吸收區及所述鍺吸收區外圍的周邊硅材料區中具有周期性排列的介質材料，以形成具有慢光效應的光子晶體結構，所述鍺吸收區具有相對的第一端及第二端，以及相對的第一側及第二側，所述鍺吸收區的第一端與所述硅波導結構相對設置，所述鍺吸收區的第二端連接具有所述光子晶體結構的反射結構。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海新微技術研發中心有限公司，其通訊地址為：201800 上海市嘉定區菊園新區環城路2222號1幢J2015室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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