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龍圖騰網恭喜保羅·謝勒學院申請的專利用于制造光子裝置的元件的系統和方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114223051B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080057026.3，技術領域涉及：H01L21/306；該發明授權用于制造光子裝置的元件的系統和方法是由盧恰·羅馬諾;馬可·斯坦帕諾尼;康斯坦欽斯·葉菲莫夫斯基;馬蒂亞斯·卡賈斯;霍安·維拉·科馬馬拉設計研發完成，并于2020-07-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于制造光子裝置的元件的系統和方法在說明書摘要公布了：本公開提供了通過使用連續金屬網和在呈連續流的空氣和蝕刻劑的存在下進行蝕刻而在半導體基底中制造作為光子裝置的元件的高縱橫比圖案的方法。在一種方法中，涉及形成穩定的金屬?半導體合金的穩定催化劑允許即使在非常低的氧化劑濃度例如存在于空氣中的氧化劑物質的條件下也在垂直方向上蝕刻基底而無需任何外部偏壓或磁場，從而在半導體基底中實現非常高的縱橫比結構。半導體基底上的金屬層與空氣中包含的氧化劑反應，并通過蝕刻劑催化半導體蝕刻。在一種方法中，通過使經水稀釋的HF溶液蒸發來供應蝕刻劑。在金屬層附近呈連續流的空氣允許在金屬層附近保持恒定的氧化劑濃度。這有利于反應物物質和蝕刻副產物的傳質，因此該過程可以長時間持續以形成非常高的縱橫比結構。一旦形成經蝕刻的半導體結構，連續的空氣流支持反應物物質擴散通過經蝕刻的半導體結構，從而保持高縱橫比結構的均勻蝕刻速率。連續的空氣流支持反應副產物的擴散，從而避免抑制蝕刻反應。用這種方法可以獲得具有約10000:1的縱橫比的結構。該方法具有優異的納米尺度上的圖案轉移能力。由于氧化劑可以通過普通空氣提供，因此該系統具有特別的實施優勢，因為它不需要對危險和易燃氣體例如O2氣體或不穩定化學品例如H2O2進行任何處理。

本發明授權用于制造光子裝置的元件的系統和方法在權利要求書中公布了：1.一種通過氣相中的金屬輔助化學蝕刻制造光子裝置的元件的方法，包括以下步驟：a提供半導體基底和其上的圖案化金屬層；b將所述半導體基底和其上的所述圖案化金屬層暴露于氣相的反應物，其中所述反應物包含氧化劑氣體和蝕刻劑氣體，其中所述氧化劑氣體包含空氣以及其中所述蝕刻劑氣體包含氫氟酸，以及其中所述反應物以連續流或脈沖流供應至所述半導體基底和其上的所述圖案化金屬層，其中所述氧化劑氣體中的氧氣的濃度通過H2O2在鉑表面上分解而局部增加，所述鉑表面為浸入在包含H2O2的液體溶液中的包含鉑的固體件，其中液相的H2O2在所述鉑表面上的分解產生氣相的O2，其中所述液體溶液置于容器中并且液體不與所述半導體基底和其上的所述圖案化金屬接觸。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人保羅·謝勒學院，其通訊地址為：瑞士菲利根；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。