恭喜ASML荷蘭有限公司任偉明獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜ASML荷蘭有限公司申請的專利用于信號電子檢測的系統和方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115428170B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180027489.X，技術領域涉及：H10F30/29；該發明授權用于信號電子檢測的系統和方法是由任偉明;陳仲瑋;王勇新設計研發完成，并于2021-04-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于信號電子檢測的系統和方法在說明書摘要公布了：所公開的一些實施例包括電子檢測器，電子檢測器包括：具有第一部分和第二部分的第一半導體層；第二半導體層；第三半導體層；由第一半導體層、第二半導體層和第三半導體層形成的PIN區；被配置為在第一半導體層和第三半導體層之間施加反向偏置的電源；以及耗盡區，耗盡區通過反向偏置在PIN區內形成，并且耗盡區被配置為基于在耗盡區內捕獲的多個信號電子的第一子集來生成檢測器信號，其中第一半導體層的第二部分未被耗盡并且被配置為提供能量勢壘以阻擋多個信號電子的第二子集，以及被配置為允許多個信號電子的第一子集穿過以到達耗盡區。
本發明授權用于信號電子檢測的系統和方法在權利要求書中公布了：1.一種用于檢測從樣品生成的多個信號電子的電子檢測器，包括：具有第一部分和第二部分的第一半導體層；與所述第一半導體層相鄰的第二半導體層；與所述第二半導體層相鄰的第三半導體層；由所述第一半導體層、所述第二半導體層和所述第三半導體層形成的PIN區；電源，被配置為在所述第一半導體層和所述第三半導體層之間施加反向偏置；以及通過所述反向偏置在所述PIN區內形成的耗盡區，所述耗盡區包括所述第二半導體層的一部分，并且所述耗盡區被配置為基于在所述耗盡區內捕獲的所述多個信號電子的第一子集來生成檢測器信號，其中所述第一半導體層的所述第二部分未被耗盡，并且所述第二部分被配置為提供能量勢壘以阻擋所述多個信號電子的第二子集，以及所述第二部分被配置為允許所述多個信號電子的所述第一子集穿過以到達所述耗盡區。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人ASML荷蘭有限公司，其通訊地址為：荷蘭維德霍溫；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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