恭喜新加坡商格羅方德半導體私人有限公司D·J·J·洛獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜新加坡商格羅方德半導體私人有限公司申請的專利具有嵌埋于開關層內的導電島的電阻式存儲器元件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114122053B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111020029.2，技術領域涉及：H10B63/00；該發明授權具有嵌埋于開關層內的導電島的電阻式存儲器元件是由D·J·J·洛;卓榮發;陳學深設計研發完成，并于2021-09-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有嵌埋于開關層內的導電島的電阻式存儲器元件在說明書摘要公布了：本發明涉及具有嵌埋于開關層內的導電島的電阻式存儲器元件，揭示了電阻式存儲器元件的結構以及形成電阻式存儲器元件的結構的方法。該電阻式存儲器元件包括第一開關層、第二開關層、導電間隙壁、第一電極、以及第二電極。該第一開關層包括位于該第一電極與該導電間隙壁之間的部分，該第二開關層包括位于該第二電極與該導電間隙壁之間的部分，且該導電間隙壁位于該第一開關層的該部分與該第二開關層的該部分之間。
本發明授權具有嵌埋于開關層內的導電島的電阻式存儲器元件在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，包括：電阻式存儲器元件，包括第一開關層、第二開關層、第一導電間隙壁、第一電極、以及第二電極，該第一導電間隙壁由該第一開關層及該第二開關層圍繞，該第一開關層包括位于該第一電極與該第一導電間隙壁之間的第一部分，該第二開關層包括位于該第二電極與該第一導電間隙壁之間的第一部分，且該第一導電間隙壁位于該第一開關層的該第一部分與該第二開關層的該第一部分之間。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人新加坡商格羅方德半導體私人有限公司，其通訊地址為：新加坡,新加坡城；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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