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龍圖騰網(wǎng)恭喜蘇州炬仁半導體有限公司申請的專利一種基于數(shù)字邏輯的高端功率控制電路及抗干擾方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114448402B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-10發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210092022.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H03K17/16；該發(fā)明授權(quán)一種基于數(shù)字邏輯的高端功率控制電路及抗干擾方法是由郭俊杰;田瑤;常昌遠;徐申;葉佳玲;孫祎軒設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-01-26向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種基于數(shù)字邏輯的高端功率控制電路及抗干擾方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種基于數(shù)字邏輯的高端功率控制電路及抗干擾方法。所述高端功率控制電路包括數(shù)字觸發(fā)模塊，所述數(shù)字觸發(fā)模塊的輸出端與第一PMOS管柵極、第二PMOS管柵極同時相連，控制端與輸出驅(qū)動電路的輸出端相連。此時數(shù)字觸發(fā)模塊將以輸出驅(qū)動電路的輸出信號作為時鐘控制信號，使數(shù)字觸發(fā)模塊在輸出信號處于上升沿時間段內(nèi)被觸發(fā)，進而使所述數(shù)字觸發(fā)模塊輸出端總是處于低電平狀態(tài)。所述抗干擾方法基于所述高端功率控制電路進行，以在輸出信號處于上升沿階段時使第一LDMOS管漏極電位被拉高，減小了噪聲脈沖寬度。所述高端功率控制電路具有結(jié)構(gòu)簡單、芯片體積小的優(yōu)點，所述高端功率控制電路與抗干擾方法更有效消除了噪聲干擾。

本發(fā)明授權(quán)一種基于數(shù)字邏輯的高端功率控制電路及抗干擾方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于數(shù)字邏輯的高端功率控制電路，其特征在于，包括互相配合的脈沖產(chǎn)生電路、高端電平移位電路、濾波電路、RS觸發(fā)器及輸出驅(qū)動電路，所述高端電平移位電路包括數(shù)字觸發(fā)模塊，與所述數(shù)字觸發(fā)模塊相配合的第一LDMOS管、第一PMOS管、第一穩(wěn)壓二極管、第一電阻及第二LDMOS管、第二PMOS管、第二穩(wěn)壓二極管、第二電阻；所述濾波電路、RS觸發(fā)器、輸出驅(qū)動電路依次串聯(lián)，且它們的電源端同時接至浮動電源，它們的接地端同時接至浮動參考；所述第一LDMOS管的源極接地，柵極與脈沖產(chǎn)生電路的第一輸出端相連，漏極與所述第一PMOS管的漏極、第一電阻、第一穩(wěn)壓二極管的陽極及數(shù)字觸發(fā)模塊的第一輸入端同時相連，并接入濾波電路的第一輸入端；所述第一PMOS管的源極、第一電阻的空余端、第一穩(wěn)壓二極管的陰極相連，并接至浮動電源；所述第二LDMOS管的源極接地，柵極與脈沖產(chǎn)生電路的第二輸出端相連，漏極與所述第二PMOS管的漏極、第二電阻、第二穩(wěn)壓二極管的陽極及數(shù)字觸發(fā)模塊的第二輸入端同時相連，并接入濾波電路的第二輸入端，所述第二PMOS管的源極、第二電阻的空余端、第二穩(wěn)壓二極管的陰極相連，并接至浮動電源；所述數(shù)字觸發(fā)模塊的輸出端與所述第一PMOS管的柵極、第二PMOS管的柵極同時相連，所述數(shù)字觸發(fā)模塊的控制端則與所述輸出驅(qū)動電路的輸出端相連；此時所述數(shù)字觸發(fā)模塊將以所述輸出驅(qū)動電路的輸出信號作為時鐘控制信號，以使所述數(shù)字觸發(fā)模塊在輸出信號處于上升沿時間段內(nèi)被觸發(fā)，進而使所述數(shù)字觸發(fā)模塊的輸出端總是處于低電平狀態(tài)。

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