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龍圖騰網(wǎng)恭喜武漢京東方光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司申請的專利一種薄膜晶體管的制備方法、薄膜晶體管和顯示裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114496800B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-10發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210142462.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/01；該發(fā)明授權(quán)一種薄膜晶體管的制備方法、薄膜晶體管和顯示裝置是由孔曾杰;郭會斌;高玉杰;喬亞崢;劉赫;代耀;丁俊;陳鵬;孫夢翔;王謙設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-02-16向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種薄膜晶體管的制備方法、薄膜晶體管和顯示裝置在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管的制備方法、薄膜晶體管和顯示裝置，解決了在薄膜晶體管器件的溝道制作過程中有效tail變大的問題。所述薄膜晶體管的制備方法，包括：提供一襯底；在所述襯底上形成依次疊層設(shè)置的柵電極、柵極絕緣層、有源層和金屬層；對所述有源層和所述金屬層進(jìn)行圖案化處理，以分別形成有源島以及位于所述有源島上方的源漏電極；其中，所述有源島包括位于其外周的外延部，所述外延部在所述襯底上的正投影不覆蓋所述柵電極和所述源漏電極在所述襯底上的正投影；對所述有源島進(jìn)行圖案化處理，以去除所述外延部，從而形成薄膜晶體管。

本發(fā)明授權(quán)一種薄膜晶體管的制備方法、薄膜晶體管和顯示裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括：提供一襯底；在所述襯底上形成依次疊層設(shè)置的柵電極、柵極絕緣層、有源層和金屬層；對所述有源層和所述金屬層進(jìn)行圖案化處理，以分別形成有源島以及位于所述有源島上方的源漏電極；其中，所述有源島包括位于其外周的外延部，所述外延部在所述襯底上的正投影不覆蓋所述柵電極和所述源漏電極在所述襯底上的正投影；對所述有源島進(jìn)行圖案化處理，以去除所述外延部，從而形成薄膜晶體管；對所述有源島進(jìn)行圖案化處理，以去除所述外延部，從而形成薄膜晶體管的步驟包括：形成覆蓋所述有源島、所述源漏電極和所述柵極絕緣層的第一保護(hù)層；對所述第一保護(hù)層進(jìn)行圖案化處理，以形成貫穿所述第一保護(hù)層的第一刻蝕窗口；其中，所述第一刻蝕窗口至少裸露出所述外延部；以圖案化后的所述第一保護(hù)層為掩膜，通過所述第一刻蝕窗口，對所述有源島進(jìn)行刻蝕，以去除所述外延部，從而形成薄膜晶體管；去除圖案化后的所述第一保護(hù)層。

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