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龍圖騰網恭喜華為技術有限公司申請的專利薄膜電感及其制作方法、集成電路、終端設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115331935B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-03發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210962239.1，技術領域涉及：H01F27/34；該發明授權薄膜電感及其制作方法、集成電路、終端設備是由劉寧;鄒鵬;李宏偉;蔣帆設計研發完成，并于2018-12-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本薄膜電感及其制作方法、集成電路、終端設備在說明書摘要公布了：本申請實施例提供薄膜電感及其制作方法、集成電路、終端設備，涉及電子技術領域，解決了電子產品中電感尺寸較大的問題。該薄膜電感包括：磁芯，磁芯包括第一磁膜和第二磁膜。第一磁膜與第二磁膜之間具有容納腔。導體，位于容納腔內。絕緣間隔膜設置于導體兩側，且位于第一磁膜和第二磁膜之間。絕緣間隔膜與第一磁膜和第二磁膜相接觸。第一磁膜和第二磁膜均包括多層磁性子膜和絕緣子膜。第一磁膜中磁性子膜和絕緣子膜交替設置。第二磁膜中磁性子膜和絕緣子膜交替設置。第一磁膜與絕緣間隔膜相接觸的表面，暴露出第一磁膜中多層磁性子膜和多層絕緣子膜。和或，第二磁膜與絕緣間隔膜相接觸的表面，暴露出第二磁膜中多層磁性子膜和多層絕緣子膜。

本發明授權薄膜電感及其制作方法、集成電路、終端設備在權利要求書中公布了：1.一種薄膜電感，其特征在于，包括：磁芯，包括第一磁膜和第二磁膜，所述第一磁膜與所述第二磁膜之間具有容納腔；導體，位于所述容納腔內；絕緣間隔膜，設置于所述導體兩側，且位于所述第一磁膜和所述第二磁膜之間；所述絕緣間隔膜與所述第一磁膜和第二磁膜相接觸，所述第一磁膜和所述第二磁膜與所述絕緣間隔膜相接觸的表面為斜率相同的傾斜面或曲率相同的曲面；所述第一磁膜和所述第二磁膜均包括多層磁性子膜和多層絕緣子膜，所述第一磁膜中的所述磁性子膜和所述絕緣子膜交替設置，所述第二磁膜中的所述磁性子膜和所述絕緣子膜交替設置；所述第一磁膜和所述第二磁膜中的多層磁性子膜和多層絕緣子膜，與所述第一磁膜的下表面平行；所述第一磁膜的下表面為所述第一磁膜遠離所述第二磁膜一側的表面；其中，所述第一磁膜與所述絕緣間隔膜相接觸的表面，暴露出所述第一磁膜中多層磁性子膜和多層絕緣子膜；和或，所述第二磁膜與所述絕緣間隔膜相接觸的表面，暴露出所述第二磁膜中多層磁性子膜和多層絕緣子膜。

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