買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜蘇州長光華芯光電技術股份有限公司;蘇州長光華芯半導體激光創新研究院有限公司申請的專利測試樣品及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119666508B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-03發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510181379.9，技術領域涉及：G01N1/28；該發明授權測試樣品及其制備方法是由王俊;張燕;肖垚;李順峰;宋木;李劉晶;趙武;茍于單;張弘;李泉靈設計研發完成，并于2025-02-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本測試樣品及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種測試樣品及其制備方法，制備方法包括：形成初始樣品，包括：在半導體襯底層中形成凹槽，所述凹槽自所述半導體襯底層的一側表面延伸至部分所述半導體襯底層中；在所述凹槽的內壁以及所述凹槽側部的所述半導體襯底層的表面形成超晶格層；在所述超晶格層背離所述半導體襯底層的一側表面形成絕緣保護層；在所述絕緣保護層背離所述超晶格層的一側表面形成導電層，所述導電層背離絕緣保護層一側的所述凹槽作為空隙；采用聚焦離子束對所述初始樣品進行切割，形成測試樣品，切割采用的切割面經過所述空隙且垂直于所述半導體襯底層。

本發明授權測試樣品及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種測試樣品的制備方法，其特征在于，包括：形成初始樣品，包括：在半導體襯底層中形成凹槽，所述凹槽自所述半導體襯底層的一側表面延伸至部分所述半導體襯底層中；形成超晶格層，包括：在所述凹槽的內壁以及所述凹槽側部的所述半導體襯底層的表面形成交替層疊且材料不同的第一半導體層和第二半導體層；在所述超晶格層背離所述半導體襯底層的一側表面形成絕緣保護層，包括：在所述超晶格層背離所述半導體襯底層的一側表面形成半導體膜，所述半導體膜中具有Al原子，所述半導體膜的厚度為10nm-30nm，對所述半導體膜進行氧化，使所述半導體膜形成所述絕緣保護層；在所述絕緣保護層背離所述超晶格層的一側表面形成導電層，所述導電層背離絕緣保護層一側的所述凹槽作為空隙；采用聚焦離子束對所述初始樣品進行切割，形成測試樣品，切割采用的切割面經過所述空隙且垂直于所述半導體襯底層;其中，在同一腔室連續形成所述超晶格層和所述半導體膜；其中，所述測試樣品用于在透射電子顯微鏡下進行區分第一半導體層和第二半導體層；所述測試樣品在第一方向的寬度尺寸為60nm~80nm，所述第一方向平行于所述半導體襯底層的表面。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州長光華芯光電技術股份有限公司;蘇州長光華芯半導體激光創新研究院有限公司，其通訊地址為：215163 江蘇省蘇州市高新區漓江路56號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。