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龍圖騰網(wǎng)恭喜中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112349653B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-30發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201910733555.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/01；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由宋佳;鄭二虎;張海洋設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-08-09向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成初始鰭部層；在所述初始鰭部層上形成多個(gè)分立排布的硬掩膜結(jié)構(gòu)；在所述硬掩膜結(jié)構(gòu)側(cè)壁上形成第一氧化層；采用等離子體注入工藝對(duì)所述第一氧化層進(jìn)行氧離子注入；刻蝕所述初始鰭部層，形成多個(gè)凸出于所述基底的鰭部。本發(fā)明有助于增加所述鰭部沿橫向方向的厚度，其中，橫向方向垂直于所述鰭部的延伸方向，且橫向方向平行于所述基底頂部表面。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成初始鰭部層；在所述初始鰭部層上形成絕緣層；在所述絕緣層上形成多個(gè)分立排布的硬掩膜結(jié)構(gòu)；在所述硬掩膜結(jié)構(gòu)側(cè)壁上形成第一氧化層；采用等離子體注入工藝對(duì)所述第一氧化層進(jìn)行氧離子注入；以所述硬掩膜結(jié)構(gòu)為掩膜，刻蝕所述絕緣層，在所述絕緣層內(nèi)形成第一通孔；在所述第一通孔側(cè)壁上形成第二氧化層；采用等離子體注入工藝對(duì)所述第二氧化層進(jìn)行氧離子注入；刻蝕所述初始鰭部層，形成多個(gè)凸出于所述基底的鰭部；其中，所述等離子體注入工藝的工藝氣體包括氧氣等離子體及氬氣等離子體。

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