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龍圖騰網恭喜成都京東方顯示科技有限公司申請的專利陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示面板獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110729235B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911013083.7，技術領域涉及：H10D86/01；該發明授權陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示面板是由劉翔設計研發完成，并于2019-10-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示面板在說明書摘要公布了：本發明提供一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示面板，陣列基板包括襯底基板以及位于所述襯底基板上的金屬氧化物薄膜晶體管和多晶硅薄膜晶體管，所述金屬氧化物薄膜晶體管與所述多晶硅薄膜晶體管間隔設置，所述金屬氧化物薄膜晶體管位于第一區域，用于驅動像素電極，所述多晶硅薄膜晶體管位于第二區域，用于控制金屬氧化物薄膜晶體管。本發明實施例提供的陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示面板同時采用多晶硅薄膜晶體管和金屬氧化物薄膜晶體管，分區域設計，工藝上兼容，有效地解決了多晶硅薄膜晶體管的技術瓶頸，使其能應用于大尺寸顯示面板，同時能有效降低顯示面板的功耗。

本發明授權陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示面板在權利要求書中公布了：1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：在襯底基板上沉積第一金屬層，通過第一次光刻，使所述第一金屬層形成位于第一區域的第一柵極；沉積緩沖層和金屬氧化物半導體層，通過第二次光刻，使所述金屬氧化物半導體層形成位于所述第一區域的第一半導體層；沉積非晶硅層，進行一次高溫退火工藝，使所述非晶硅層形成多晶硅層，通過第三次光刻，使所述多晶硅層形成位于第二區域的第二半導體層，并使所述多晶硅層形成位于所述第一半導體層上的源漏金屬隔離層；依次沉積絕緣層和第二金屬層，通過第四次光刻，使所述第二金屬層形成位于所述第二區域的第二柵極；沉積第一金屬氧化物保護層，通過第五次光刻，在所述絕緣層和所述第一金屬氧化物保護層上形成多個過孔；沉積第三金屬層，通過第六次光刻，使所述第三金屬層形成位于所述第一區域的第一源極、第一漏極以及位于所述第二區域的第二源極、第二漏極，并使所述第一源極和所述第一漏極分別通過所述過孔與所述第一半導體層連通，所述第二源極和所述第二漏極分別通過所述過孔與所述第二半導體層連通。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人成都京東方顯示科技有限公司，其通訊地址為：610200 四川省成都市雙流區黃甲街道青欄路1778號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。