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龍圖騰網恭喜應用材料公司申請的專利摻雜的非晶硅光學器件膜及經由摻入摻雜原子的沉積獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115698369B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180039600.7，技術領域涉及：C23C14/34；該發明授權摻雜的非晶硅光學器件膜及經由摻入摻雜原子的沉積是由安德魯·塞巴洛斯;盧多維克·戈代;卡爾·J·阿姆斯特朗;拉米·胡拉尼設計研發完成，并于2021-06-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本摻雜的非晶硅光學器件膜及經由摻入摻雜原子的沉積在說明書摘要公布了：本公開內容的實施方式一般涉及用于光學器件制造的方法及材料。更具體而言，本文描述的實施方式提供了光學膜沉積方法及材料，其經由通過在沉積期間抑制光學材料的晶體生長來摻入摻雜原子，從而擴大非晶光學膜沉積的處理窗口。通過使非晶膜能夠在更高溫度下沉積，能夠實現顯著的成本節省及產量增加。

本發明授權摻雜的非晶硅光學器件膜及經由摻入摻雜原子的沉積在權利要求書中公布了：1.一種方法，包含以下步驟：在基板支撐件上設置光學器件基板，所述基板支撐件設置在腔室中，所述腔室包含：設置在所述腔室中的光學器件材料靶材，所述光學器件材料靶材包含光學器件材料，其中所述光學器件材料包括下列中的一者或兩者：含金屬材料，所述含金屬材料包含五氧化鉭Ta2O5、二氧化鋯ZrO2、氧化銦In2O3、或氧化鉿HfO2；及半導體材料，所述半導體材料包含硅Si、鍺Ge、鍺硅SiGe、III-V半導體、II-IV半導體、三元半導體、四元半導體、及透明導電氧化物；及設置在所述腔室中的電介質靶材，所述電介質靶材包含摻雜劑材料，其中所述摻雜劑材料包含：硅Si、鈮Nb、鈦Ti、鉭Ta、鋯Zr、銦In、鉿Hf、或上述的氧化物，其中所述摻雜劑材料與所述光學器件材料是不同的；及在所述光學器件基板上沉積摻雜的非晶光學器件膜，所述摻雜的非晶光學器件膜具有從所述光學器件基板的表面垂直延伸到所述摻雜的非晶光學器件膜的頂表面的一定范圍的多個區域，包含以下步驟：沉積所述光學器件材料以在所述光學器件基板的表面上形成光學器件層，沉積所述光學器件材料的步驟包含以下步驟：將DC電源的第一功率水平提供至所述光學器件材料靶材來，從而以第一沉積速率沉積所述光學器件材料；及將所述摻雜劑材料沉積到所述光學器件層的所述一定范圍的多個區域中，以形成所述摻雜的非晶光學器件膜，沉積所述摻雜劑材料的步驟包含以下步驟：將RF電源的第二功率水平提供至所述電介質靶材，從而以第二沉積速率沉積所述摻雜劑材料，其中所述摻雜劑材料分布在所述一定范圍的多個區域的每個區域中，其中所述第一沉積速率與所述第二沉積速率是不同的。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人應用材料公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。