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龍圖騰網恭喜長鑫存儲技術有限公司申請的專利感測放大結構和存儲器架構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115910148B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110998262.1，技術領域涉及：G11C11/4091；該發明授權感測放大結構和存儲器架構是由池性洙設計研發完成，并于2021-08-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本感測放大結構和存儲器架構在說明書摘要公布了：本申請涉及半導體電路設計領域，涉及一種感測放大結構和存儲器架構，包括：第一PMOS管，柵極連接第二互補讀出位線，源極連接第一信號端；第一NMOS管，柵極連接初始位線；第一PMOS管的漏極和第一NMOS管的漏極連接第一互補讀出位線；第二PMOS管，柵極連接第二互補讀出位線；第二NMOS管，柵極連接初始互補位線，源極連接第二信號端；第二PMOS管的漏極和第二NMOS管的漏極連接第一互補讀出位線；偏移消除模塊，連接初始位線和第一互補讀出位線，且連接初始互補位線和第一讀出位線；控制模塊，連接第二讀出位線和第二互補讀出位線，用于根據控制信號，向第一PMOS管和第二PMOS管提供偏置電壓，以穩定地消除感測放大電路中的偏移噪聲，同時避免位線和互補位線上的電壓波動。

本發明授權感測放大結構和存儲器架構在權利要求書中公布了：1.一種感測放大結構，設置在相鄰存儲陣列之間，其特征在于，包括：第一PMOS管，其柵極連接第二讀出位線，其源極連接第一信號端；第一NMOS管，其柵極連接初始位線，其源極連接第二信號端；所述第一PMOS管的漏極和所述第一NMOS管的漏極連接第一互補讀出位線，其中，所述第一信號端用于接收第一電平信號，所述第二信號端用于接收第二電平信號；第二PMOS管，其柵極連接第二互補讀出位線，其源極連接所述第一信號端；第二NMOS管，其柵極連接初始互補位線，其源極連接所述第二信號端；所述第二PMOS管的漏極和所述第二NMOS管的漏極連接第一讀出位線，其中，所述初始位線連接相鄰所述存儲陣列中一所述存儲陣列的存儲單元，所述初始互補位線連接相鄰所述存儲陣列中另一所述存儲陣列的存儲單元；偏移消除模塊，部分連接在所述初始位線與所述第一互補讀出位線之間，部分連接在所述初始互補位線和所述第一讀出位線之間，用于根據偏移消除信號，使所處初始位線與所述第一互補讀出位線電連接，并使所述初始互補位線與所述第一讀出位線電連接；控制模塊，連接所述第二讀出位線和所述第二互補讀出位線，用于根據控制信號，向所述第一PMOS管和所述第二PMOS管提供偏置電壓。

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