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龍圖騰網(wǎng)恭喜上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司申請的專利一種半導(dǎo)體器件的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114420634B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-30發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111545321.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D86/01；該發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體器件的制備方法是由卓明川;陳宏;曹秀亮;劉張李設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-12-16向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種半導(dǎo)體器件的制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：提供襯底，所述襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底內(nèi)形成有源區(qū)和漏區(qū)；在所述襯底上形成第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層覆蓋所述襯底及所述柵極結(jié)構(gòu)；在所述第一介質(zhì)層上形成頂層金屬層，且所述頂層金屬層與所述柵極結(jié)構(gòu)、所述源區(qū)和所述漏區(qū)電連接；在所述第一介質(zhì)層及所述頂層金屬層上順形地形成第二介質(zhì)層；刻蝕所述頂層金屬層上方的所述第二介質(zhì)層的部分厚度，并對所述第二介質(zhì)層進行平坦化工藝，通過刻蝕工藝均勻所述第二介質(zhì)層的形狀，進而對所述第二介質(zhì)層的研磨速度，避免所述頂層金屬層收集等離子體沉積過程中產(chǎn)生的游離電荷而導(dǎo)致的等離子損傷及漏電問題。

本發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體器件的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括：提供襯底，所述襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底內(nèi)形成有源區(qū)和漏區(qū)；在所述襯底上形成第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層覆蓋所述襯底及所述柵極結(jié)構(gòu)；在所述第一介質(zhì)層上形成頂層金屬層，且所述頂層金屬層與所述柵極結(jié)構(gòu)、所述源區(qū)和所述漏區(qū)電連接；在所述第一介質(zhì)層及所述頂層金屬層上順形地形成第二介質(zhì)層；刻蝕所述頂層金屬層上方的所述第二介質(zhì)層的部分厚度，且刻蝕所述頂層金屬層上方的所述第二介質(zhì)層的部分寬度，在所述頂層金屬層上方的所述第二介質(zhì)層的中形成至少一個凸起部，在所述頂層金屬層上方的所述第二介質(zhì)層的圖案的兩側(cè)均形成所述凸起部，且所述凸起部之間的形狀相同；對所述第二介質(zhì)層進行平坦化工藝直至去除所述凸起部以減薄所述頂層金屬層上方的所述第二介質(zhì)層。

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