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龍圖騰網恭喜西華大學申請的專利基于低載流子壽命提高SOI橫向功率器件耐壓的結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114335151B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210026167.X，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權基于低載流子壽命提高SOI橫向功率器件耐壓的結構是由陽小明;李天倩;曹太強;吳健;李佰強;楊志國設計研發完成，并于2022-01-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于低載流子壽命提高SOI橫向功率器件耐壓的結構在說明書摘要公布了：本發明提供基于低載流子壽命提高SOI橫向功率器件耐壓的結構，包括結構上面的源電極、柵電極、漏電極；源電極下面有p+、n+區域，p+區域用于消除寄生NPN晶體管效應，n+區域用于收集溝道流過來的電子；柵電極下面有雙擴散形成的P阱，為n溝道；當柵電壓大于閾值電壓時，柵氧層下面形成電子層，器件導通；漏極下面為n+區域；柵電極、漏電極之間為漂移區，用于提高器件關斷時的耐壓；漂移區的下方為低載流子壽命層；低載流子壽命層下面是埋氧層，將漂移區和襯底作了電氣隔離；埋氧層下面是P型襯底，器件底部為襯底電極。該發明廣泛應用于高壓SOI橫向功率器件與集成電路；以較低的成本提高了SOI功率器件的耐壓。

本發明授權基于低載流子壽命提高SOI橫向功率器件耐壓的結構在權利要求書中公布了：1.基于低載流子壽命提高SOI橫向功率器件耐壓的結構，包括結構上面的源電極（1）、柵電極（2）、漏電極（3）；源電極（1）下面有p+、n+區域，p+區域用于消除寄生NPN晶體管效應，n+區域用于收集溝道流過來的電子；柵電極（2）下面有雙擴散形成的P阱，為n溝道；當柵電壓大于閾值電壓時，柵氧層下面形成電子層，器件導通；漏電極（3）下面為n+區域；柵電極（2）、漏電極（3）之間為漂移區（4），用于提高器件關斷時的耐壓；其特征在于：漂移區（4）的下方為低載流子壽命層（5），由N型硅中引入深能級復合中心得到；低載流子壽命層（5）下面是埋氧層（6），將漂移區（4）和襯底做了電氣隔離；埋氧層（6）下面是P型襯底（7），器件底部為襯底電極；通過在漂移區（4）與埋氧層（6）之間引入一低載流子壽命的硅層；設計SOI橫向功率器件的耐壓時，優化器件參數使擊穿發生在漏電極下方頂層硅與埋氧層界面硅側處；而引入的低載流子壽命硅層提高器件擊穿處的臨界擊穿電場，從而提高器件的耐壓。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西華大學，其通訊地址為：611743 四川省成都市郫都區紅光大道9999號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。