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龍圖騰網(wǎng)恭喜廈門通富微電子有限公司申請的專利覆晶薄膜的封裝方法及覆晶薄膜獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115050658B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-30發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210444235.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/60；該發(fā)明授權(quán)覆晶薄膜的封裝方法及覆晶薄膜是由陳緯銘設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-04-25向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本覆晶薄膜的封裝方法及覆晶薄膜在說明書摘要公布了：本申請公開了一種覆晶薄膜的封裝方法及覆晶薄膜，所述覆晶薄膜的封裝方法包括：提供卷帶和至少一個芯片；其中，卷帶的第一表面設(shè)置有多個內(nèi)引腳，芯片的功能面上設(shè)置有多個金屬凸塊；在相鄰內(nèi)引腳和或相鄰金屬凸塊之間形成第一絕緣材料；使金屬凸塊和所述內(nèi)引腳相對設(shè)置，且一個金屬凸塊與一個內(nèi)引腳對應(yīng)；使金屬凸塊與對應(yīng)位置處的內(nèi)引腳電連接。通過上述方式，本申請能夠解決因熱膨脹系數(shù)不匹配導(dǎo)致的卷帶翹曲，降低底填膠的使用，提高半導(dǎo)體封裝器件的性能。

本發(fā)明授權(quán)覆晶薄膜的封裝方法及覆晶薄膜在權(quán)利要求書中公布了：1.一種覆晶薄膜的封裝方法，其特征在于，包括：提供卷帶和至少一個芯片；其中，所述卷帶的第一表面設(shè)置有多個內(nèi)引腳，所述芯片的功能面上設(shè)置有多個金屬凸塊，所述卷帶的材料包括聚酰亞胺或聚酯薄膜；在相鄰所述內(nèi)引腳和相鄰所述金屬凸塊之間形成第一絕緣材料，其中，所述第一絕緣材料包括聚酰亞胺，異方向性電子導(dǎo)電膠材中至少一種，所述第一絕緣材料在所述卷帶上的正投影位于相鄰所述內(nèi)引腳之間的間隙內(nèi)，所述第一絕緣材料在所述芯片上的正投影位于相鄰所述金屬凸塊之間的間隙內(nèi)；使所述金屬凸塊和所述內(nèi)引腳相對設(shè)置，且一個所述金屬凸塊與一個所述內(nèi)引腳對應(yīng)；使所述金屬凸塊與對應(yīng)位置處的所述內(nèi)引腳電連接。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人廈門通富微電子有限公司，其通訊地址為：361000 福建省廈門市中國(福建)自由貿(mào)易試驗區(qū)廈門片區(qū)建港路29號海滄國際物流大廈10樓1001單元F0193；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。