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龍圖騰網恭喜湖南融創(chuàng)微電子股份有限公司申請的專利抗單粒子閂鎖效應的SRAM編譯器設計方法和裝置獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119647371B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202510190964.5，技術領域涉及：G06F30/3308；該發(fā)明授權抗單粒子閂鎖效應的SRAM編譯器設計方法和裝置是由劉曄;劉祥遠;陳強;祁勇;賴善坤;房盼攀設計研發(fā)完成，并于2025-02-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本抗單粒子閂鎖效應的SRAM編譯器設計方法和裝置在說明書摘要公布了：本申請涉及一種抗單粒子閂鎖效應的SRAM編譯器設計方法和裝置。該方法包括：對SRAM編譯器的底層子模塊進行器件級單粒子閂鎖效應仿真；根據(jù)仿真結果制定底層子模塊的加固設計規(guī)則；根據(jù)加固設計規(guī)則優(yōu)化和改進底層子模塊，并將其制作成抗閂鎖加固數(shù)據(jù)庫；獲取不同容量存儲器中抗閂鎖加固數(shù)據(jù)庫的拼接規(guī)律，并利用高級編程語言描述該拼接規(guī)律；利用高級編程語言對抗閂鎖加固數(shù)據(jù)庫的底層子模塊進行調用，從而生成不同容量的存儲器。本方法在SRAM編譯器設計初期，對底層子模塊進行抗單粒子閂鎖加固，既保證了SRAM編譯器成本低、周期短、效率高、配置靈活的特點，又使SRAM編譯器生成的存儲器具有抗單粒子閂鎖效應的性能。

本發(fā)明授權抗單粒子閂鎖效應的SRAM編譯器設計方法和裝置在權利要求書中公布了：1.一種抗單粒子閂鎖效應的SRAM編譯器設計方法，其特征在于，所述方法包括：對SRAM編譯器的底層子模塊進行器件級單粒子閂鎖效應仿真；根據(jù)仿真結果制定底層子模塊的加固設計規(guī)則；根據(jù)所述加固設計規(guī)則優(yōu)化和改進所述底層子模塊，并將其制作成抗閂鎖加固數(shù)據(jù)庫；獲取不同容量存儲器中抗閂鎖加固數(shù)據(jù)庫的拼接規(guī)律，采用高級編程語言描述所述拼接規(guī)律；所述拼接規(guī)律包括：不同容量存儲器下不同底層子模塊的名稱、調用次數(shù)以及調用位置；利用高級編程語言對所述抗閂鎖加固數(shù)據(jù)庫的底層子模塊進行調用，生成對應容量的抗閂鎖加固SRAM存儲器；其中，對SRAM編譯器的底層子模塊進行器件級單粒子閂鎖效應仿真，包括：獲取SRAM編譯器的底層子模塊所使用MOS管的工藝參數(shù)信息；根據(jù)所述工藝參數(shù)信息，對所述底層子模塊所使用MOS管進行器件級建模，得到MOS管模型；根據(jù)所述MOS管模型確定MOS管與相鄰阱接觸之間的第一距離和MOS管與相鄰阱之間的第二距離；調整距離所述第一距離和所述第二距離，對所述MOS管模型進行器件級單粒子閂鎖效應仿真；獲取所述MOS管模型有無發(fā)生單粒子閂鎖效應的臨界距離最大值和臨界距離最小值。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人湖南融創(chuàng)微電子股份有限公司，其通訊地址為：410205 湖南省長沙市長沙高新開發(fā)區(qū)尖山路18號中電軟件園二期第A5棟1層101號；或者聯(lián)系龍圖騰網官方客服，聯(lián)系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。