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龍圖騰網恭喜中國科學院國家空間科學中心申請的專利一種易失性互鎖存儲電路空間充放電效應的評估方法及系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119763647B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510258895.7，技術領域涉及：G11C29/50；該發明授權一種易失性互鎖存儲電路空間充放電效應的評估方法及系統是由陳睿;袁潤杰;韓建偉;梁亞楠設計研發完成，并于2025-03-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種易失性互鎖存儲電路空間充放電效應的評估方法及系統在說明書摘要公布了：本發明公開了一種易失性互鎖存儲電路空間充放電效應的評估方法及系統，屬于空間充放電效應技術領域，方法包括：根據易失性互鎖存儲電路，依次獲取正SESD脈沖內核閾值、第一SESD內核閾值和第二SESD內核閾值；將所述正SESD脈沖內核閾值、第一SESD內核閾值和第二SESD內核閾值代入所述最低SESD閾值表達式，計算得到最低SESD閾值；將所述最低SESD閾值代入所述SESD脈沖翻轉閾值表達式，計算得到SESD脈沖翻轉閾值，以評估易失性互鎖存儲電路的空間充放電誘發翻轉效應。本發明提供全新且有效的方法以快速評估易失性互鎖存儲電路的抗空間充放電效應能力，具有重要的價值。

本發明授權一種易失性互鎖存儲電路空間充放電效應的評估方法及系統在權利要求書中公布了：1.一種易失性互鎖存儲電路空間充放電效應的評估方法，其特征在于，包括以下步驟：根據易失性互鎖存儲電路，得到誘發內核存儲電路數據翻轉的最低電壓對應的SESD脈沖翻轉閾值表達式；獲取SESD誘發電路數據翻轉的路徑，得到通過各路徑誘發數據翻轉的最低SESD閾值表達式；其中所述各路徑包括從MOS晶體管柵極注入的第一路徑和從MOS晶體管源極注入的第二路徑；獲取由MOS晶體管柵極注入存儲電路導致存儲節點由低電平變為高電平的正SESD脈沖內核閾值；根據存儲電路的內核電源電壓與噪聲容限，計算由存儲電路晶體管注入SESD脈沖誘發輸出翻轉的第一SESD內核閾值；根據存儲電路的鎖存結構的失調電壓，計算由存儲電路晶體管注入SESD脈沖誘發存儲數據錯誤的第二SESD內核閾值；將所述正SESD脈沖內核閾值、第一SESD內核閾值和第二SESD內核閾值代入所述最低SESD閾值表達式，計算得到最低SESD閾值；將所述最低SESD閾值代入所述SESD脈沖翻轉閾值表達式，計算得到SESD脈沖翻轉閾值，以評估易失性互鎖存儲電路的空間充放電誘發翻轉效應。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院國家空間科學中心，其通訊地址為：100089 北京市海淀區中關村南二條1號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。