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龍圖騰網(wǎng)恭喜北京懷柔實驗室申請的專利功率半導(dǎo)體器件及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119922929B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-30發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510374488.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D18/00；該發(fā)明授權(quán)功率半導(dǎo)體器件及其制備方法是由劉瑞;李玲;焦倩倩;魏曉光;王耀華;唐新靈;張語;李立設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-03-27向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本功率半導(dǎo)體器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種功率半導(dǎo)體器件及其制備方法，該功率半導(dǎo)體器件包括中心區(qū)域和位于中心區(qū)域外周的外圍區(qū)域，中心區(qū)域和外圍區(qū)域均包括多個元胞結(jié)構(gòu)，元胞結(jié)構(gòu)和偽元胞結(jié)構(gòu)均包括沿第一方向順序設(shè)置的緩沖區(qū)和基區(qū)，中心區(qū)域還包括具有導(dǎo)電通道的偽元胞結(jié)構(gòu)，偽元胞結(jié)構(gòu)中緩沖區(qū)具有與基區(qū)的接觸面以及沿第一方向與接觸面相對的第一表面；至少部分導(dǎo)電通道嵌于緩沖區(qū)中的預(yù)定區(qū)域中，預(yù)定區(qū)域與接觸面間隔，導(dǎo)電通道中嵌于預(yù)定區(qū)域中的部分由第二表面延伸至預(yù)定區(qū)域內(nèi)部，預(yù)定區(qū)域用于在功率半導(dǎo)體器件承受設(shè)計的擊穿電壓的情況下形成擊穿區(qū)域。本申請解決了相關(guān)技術(shù)中應(yīng)用于功率半導(dǎo)體器件中的過壓保護(hù)技術(shù)導(dǎo)致其擊穿電壓一致性較差的問題。

本發(fā)明授權(quán)功率半導(dǎo)體器件及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括中心區(qū)域和位于所述中心區(qū)域外周的外圍區(qū)域，所述中心區(qū)域和所述外圍區(qū)域均包括多個元胞結(jié)構(gòu)，所述中心區(qū)域還包括偽元胞結(jié)構(gòu)，所述元胞結(jié)構(gòu)和所述偽元胞結(jié)構(gòu)均包括沿第一方向順序設(shè)置的緩沖區(qū)和基區(qū)，所述偽元胞結(jié)構(gòu)還包括導(dǎo)電通道，所述偽元胞結(jié)構(gòu)中：所述緩沖區(qū)具有與所述基區(qū)的接觸面以及沿所述第一方向與所述接觸面相對的第一表面；至少部分所述導(dǎo)電通道嵌于所述緩沖區(qū)中的預(yù)定區(qū)域中，所述預(yù)定區(qū)域具有位于所述第一表面中的第二表面，且所述預(yù)定區(qū)域與所述接觸面間隔，所述導(dǎo)電通道中嵌于所述預(yù)定區(qū)域中的部分由所述第二表面延伸至所述預(yù)定區(qū)域內(nèi)部，所述預(yù)定區(qū)域用于在所述功率半導(dǎo)體器件承受擊穿電壓的情況下形成擊穿區(qū)域。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人北京懷柔實驗室，其通訊地址為：101400 北京市懷柔區(qū)楊雁東一路8號院5號樓319室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。