恭喜北京懷柔實驗室劉瑞獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜北京懷柔實驗室申請的專利功率半導(dǎo)體器件及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN119922929B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-30發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202510374488.2,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10D18/00;該發(fā)明授權(quán)功率半導(dǎo)體器件及其制備方法是由劉瑞;李玲;焦倩倩;魏曉光;王耀華;唐新靈;張語;李立設(shè)計研發(fā)完成,并于2025-03-27向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本功率半導(dǎo)體器件及其制備方法在說明書摘要公布了:本申請公開了一種功率半導(dǎo)體器件及其制備方法,該功率半導(dǎo)體器件包括中心區(qū)域和位于中心區(qū)域外周的外圍區(qū)域,中心區(qū)域和外圍區(qū)域均包括多個元胞結(jié)構(gòu),元胞結(jié)構(gòu)和偽元胞結(jié)構(gòu)均包括沿第一方向順序設(shè)置的緩沖區(qū)和基區(qū),中心區(qū)域還包括具有導(dǎo)電通道的偽元胞結(jié)構(gòu),偽元胞結(jié)構(gòu)中緩沖區(qū)具有與基區(qū)的接觸面以及沿第一方向與接觸面相對的第一表面;至少部分導(dǎo)電通道嵌于緩沖區(qū)中的預(yù)定區(qū)域中,預(yù)定區(qū)域與接觸面間隔,導(dǎo)電通道中嵌于預(yù)定區(qū)域中的部分由第二表面延伸至預(yù)定區(qū)域內(nèi)部,預(yù)定區(qū)域用于在功率半導(dǎo)體器件承受設(shè)計的擊穿電壓的情況下形成擊穿區(qū)域。本申請解決了相關(guān)技術(shù)中應(yīng)用于功率半導(dǎo)體器件中的過壓保護(hù)技術(shù)導(dǎo)致其擊穿電壓一致性較差的問題。
本發(fā)明授權(quán)功率半導(dǎo)體器件及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種功率半導(dǎo)體器件,其特征在于,包括中心區(qū)域和位于所述中心區(qū)域外周的外圍區(qū)域,所述中心區(qū)域和所述外圍區(qū)域均包括多個元胞結(jié)構(gòu),所述中心區(qū)域還包括偽元胞結(jié)構(gòu),所述元胞結(jié)構(gòu)和所述偽元胞結(jié)構(gòu)均包括沿第一方向順序設(shè)置的緩沖區(qū)和基區(qū),所述偽元胞結(jié)構(gòu)還包括導(dǎo)電通道,所述偽元胞結(jié)構(gòu)中:所述緩沖區(qū)具有與所述基區(qū)的接觸面以及沿所述第一方向與所述接觸面相對的第一表面;至少部分所述導(dǎo)電通道嵌于所述緩沖區(qū)中的預(yù)定區(qū)域中,所述預(yù)定區(qū)域具有位于所述第一表面中的第二表面,且所述預(yù)定區(qū)域與所述接觸面間隔,所述導(dǎo)電通道中嵌于所述預(yù)定區(qū)域中的部分由所述第二表面延伸至所述預(yù)定區(qū)域內(nèi)部,所述預(yù)定區(qū)域用于在所述功率半導(dǎo)體器件承受擊穿電壓的情況下形成擊穿區(qū)域。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人北京懷柔實驗室,其通訊地址為:101400 北京市懷柔區(qū)楊雁東一路8號院5號樓319室;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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