恭喜中國人民解放軍國防科技大學劉東青獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中國人民解放軍國防科技大學申請的專利一種耐高溫選擇性發射紅外隱身材料及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111208589B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911369557.1，技術領域涉及：G02B5/08；該發明授權一種耐高溫選擇性發射紅外隱身材料及其制備方法是由劉東青;彭亮;程海峰設計研發完成，并于2019-12-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種耐高溫選擇性發射紅外隱身材料及其制備方法在說明書摘要公布了：一種耐高溫選擇性發射紅外隱身材料，為層狀結構，依次包括基底層、金屬層和氮化硅層；所述金屬層的厚度為50nm?1000nm；所述氮化硅層的厚度為1.2μm?1.8μm。該紅外隱身材料的制備方法：1將基底材料清洗、干燥；2采用磁控濺射法、化學氣相沉積法或原子層沉積法將金屬材料沉積在基底上，形成金屬層；3再采用磁控濺射法或化學氣相沉積法將氮化硅沉積在金屬層表面，完成紅外隱身材料的制備。本發明的選擇性發射紅外隱身材料，通過對金屬層和氮化硅層的厚度優化，兼顧了低發射率與輻射散熱的要求，對更好的實現紅外隱身具有重要的意義。
本發明授權一種耐高溫選擇性發射紅外隱身材料及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種耐高溫選擇性發射紅外隱身材料，其特征在于，所述紅外隱身材料為層狀結構，依次為基底層、金屬層和氮化硅層；所述金屬層的厚度為50nm-1000nm；所述氮化硅層的厚度為1.2μm-1.8μm；所述金屬層的材料為鋁、不銹鋼、鎢和銅中的任一種；該紅外隱身材料在室溫至1000℃范圍內，3.0μm～5.0μm紅外窗口波段低發射率，其發射率在0.20以下，在5.0μm～20.0μm非窗口波段高發射率，發射率達0.70以上。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國人民解放軍國防科技大學，其通訊地址為：410000 湖南省長沙市開福區德雅路109號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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