恭喜盛合晶微半導體(江陰)有限公司陳彥亨獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜盛合晶微半導體(江陰)有限公司申請的專利扇出型天線封裝結構及封裝方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111106075B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-03發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811259793.3，技術領域涉及：H01L23/31；該發明授權扇出型天線封裝結構及封裝方法是由陳彥亨;林正忠設計研發完成，并于2018-10-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本扇出型天線封裝結構及封裝方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種扇出型天線封裝結構及封裝方法，所述扇出型天線封裝方法中，將半導體芯片的正面接合于分離層的上表面；采用封裝層包覆半導體芯片的側面及底面；基于分離層，分離封裝層，以顯露半導體芯片的正面；重新布線層與半導體芯片電連接；于重新布線層的上表面形成堆疊設置的至少兩層天線結構，天線結構與重新布線層電連接；貫穿封裝層形成通孔，通孔顯漏重新布線層中的金屬布線層；通過通孔，形成與金屬布線層電連接的金屬凸塊。可降低生產成本，形成堆疊設置的具有多層天線結構及高整合性的扇出型天線封裝結構；通過位于重新布線層兩側的天線結構及半導體芯片，提高扇出型天線封裝結構性能。
本發明授權扇出型天線封裝結構及封裝方法在權利要求書中公布了：1.一種扇出型天線封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：提供支撐基底，于所述支撐基底上形成分離層；提供半導體芯片，將所述半導體芯片的正面接合于所述分離層的上表面；采用封裝層包覆所述半導體芯片的側面及底面，所述封裝層包括與所述分離層相接觸的第一面及相對的第二面；基于所述分離層，分離所述封裝層，以顯露所述半導體芯片的正面；于所述封裝層的第一面上形成重新布線層，且所述重新布線層與所述半導體芯片電連接；于所述重新布線層的上表面形成堆疊設置的至少兩層天線結構，所述天線結構與所述重新布線層電連接；貫穿所述封裝層形成通孔，所述通孔顯漏所述重新布線層中的金屬布線層；通過所述通孔，形成與所述金屬布線層電連接的金屬凸塊。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人盛合晶微半導體(江陰)有限公司，其通訊地址為：214437 江蘇省無錫市江陰市長山大道78號(經營場所江陰市東盛西路9號)；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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