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龍圖騰網恭喜信越化學工業株式會社申請的專利稀土類磁體的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114402404B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080065139.8，技術領域涉及：H01F41/02；該發明授權稀土類磁體的制備方法是由中村元;廣田晃一;大橋徹也設計研發完成，并于2020-08-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本稀土類磁體的制備方法在說明書摘要公布了：本發明的稀土類磁體的制備方法如下：使用夾具6將多個燒結體7并列配置，使得多個燒結體7的第1面21沿著與垂直方向平行的面；在設置有在多個燒結體7的第1面21側配置的靶4的第一成膜處理室5內，使膜在使用夾具6并列配置的多個燒結體7的第1面21上成膜；在設置有在多個燒結體6的第2面22側配置的靶4的與第一成膜處理室5并列設置的第二成膜處理室25內，使膜在使用夾具6并列配置的多個燒結體7的第2面22上成膜；在第一成膜處理室5和第二成膜處理室25之間，使使用夾具6并列配置的多個燒結體7在水平方向移動。根據本發明，可提供能夠通過利用由物理氣相生長法形成的膜的晶界擴散法以穩定的品質且大量地制備高性能稀土類磁體的稀土類磁體的制備方法。

本發明授權稀土類磁體的制備方法在權利要求書中公布了：1.稀土類磁體的制備方法，其包括以下晶界擴散工序：在由R1-Fe-B系組成構成、且分別具有第1面和所述第1面的相反側的第2面的多個燒結體上，通過物理氣相生長法使選自R2膜、R2-M合金膜以及R2和M的多層膜的1種或2種以上的膜成膜，通過此后的熱處理使R2或R2和M被所述燒結體吸收；R1為選自稀土類元素的1種或2種以上的元素，其中Pr和Nd中的1種或2種元素為必需，R2為選自稀土類元素的1種或2種以上的元素，其中Tb和Dy中的1種或2種元素為必需，M為選自Cu、Al、Co、Fe、Mn、Ni、Sn和Si的1種或2種以上的元素，其特征在于，使用夾具將所述多個燒結體并列配置，使得所述多個燒結體的第1面沿著與垂直方向或水平方向平行的面，所述晶界擴散工序包括：第1成膜工序，在設置有在所述多個燒結體的第1面側配置的含有所述R2的靶的第一成膜處理室內，在惰性氣體氣氛中使所述膜在使用所述夾具并列配置的所述多個燒結體的第1面上成膜；第2成膜工序，在設置有在所述多個燒結體的第2面側配置的含有所述R2的靶的與所述第一成膜處理室并列設置的第二成膜處理室內，在惰性氣體氣氛中使所述膜在使用所述夾具并列配置的所述多個燒結體的第2面上成膜；以及移動工序，在所述第一成膜處理室和所述第二成膜處理室之間使使用所述夾具并列配置的所述多個燒結體在水平方向或垂直方向移動，所述夾具由選自鋁、鋁合金、銅、銅合金、鐵、鐵合金、鈦、鈦合金、鈮、鈮合金、鎢、鎢合金、鉬和鉬合金的1種或2種以上的材料構成，所述夾具構造成將所述燒結體夾持并將其保持在前端成形為尖銳狀的保持部中，所述保持部的所述前端在彈性限度內的移動距離為所述燒結體的夾持方向的尺寸的尺寸公差幅度的2倍以上。

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