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龍圖騰網(wǎng)恭喜株式會社村田制作所申請的專利半導體裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112582399B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-27發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011063884.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/67；該發(fā)明授權(quán)半導體裝置是由近藤將夫;佐佐木健次;小屋茂樹;高橋新之助設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-09-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導體裝置在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供能夠抑制集電極電流或漏極電流的路徑的寄生電感或寄生電阻的增加的半導體裝置。在基板配置有兩列的晶體管列。兩列的晶體管列的每列晶體管列由在第一方向上排列的多個晶體管構(gòu)成，兩列的晶體管列在與第一方向正交的第二方向上隔開間隔配置。在俯視時，在兩列的晶體管列之間的區(qū)域配置有第一布線。第一布線與兩列的晶體管列的多個晶體管的集電極或者漏極連接。在俯視時第一凸塊與第一布線重疊，且配置在兩列的晶體管列之間，并與第一布線連接。

本發(fā)明授權(quán)半導體裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，具備：基板；以及設(shè)置在上述基板的兩列的晶體管列，上述兩列的晶體管列的每列晶體管列由在第一方向上排列的多個晶體管構(gòu)成，上述兩列的晶體管列在與上述第一方向正交的第二方向上隔開間隔配置，上述半導體裝置還具有：第一布線，在俯視時被配置在上述兩列的晶體管列之間的區(qū)域，并與上述兩列的晶體管列的上述多個晶體管的集電極或者漏極連接；以及至少一個第一凸塊，在俯視時與上述第一布線重疊，并且被配置在夾在上述兩列的晶體管列之間的區(qū)域，并與上述第一布線連接，在俯視時上述第一凸塊不與上述兩列的晶體管列重疊。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人株式會社村田制作所，其通訊地址為：日本京都府；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。