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龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115249685B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110462078.5，技術領域涉及：H10D1/68；該發明授權半導體結構及其形成方法是由周飛設計研發完成，并于2021-04-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，其中結構包括：位于襯底上的若干第二金屬層，所述第二金屬層位于所述第一金屬層上或者所述第一金屬層位于所述第二金屬層上，所述若干第二金屬層平行于第二方向，且各所述第二金屬層分別與多條所述第一電極電連接；位于襯底上的若干第三金屬層，所述第三金屬層位于所述第一金屬層上或者所述第一金屬層位于所述第三金屬層上，所述若干第三金屬層平行于第二方向，且各第三金屬層分別與多條所述第二電極電連接。即，每層金屬層的電極端不需要通過較粗的極板連接，可以減少每層金屬層的電極端面積，從而可以增加極板的數量，進而提高MOM電容的密度。

本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括：襯底；位于襯底上的第一金屬層，所述第一金屬層包括第一區和第二區，所述第一區和所述第二區沿第一方向排布，且所述第一區和所述第二區分別位于所述第一金屬層的相對兩端，所述第一金屬層還包括位于所述第一區和所述第二區之間的中間區，所述第一金屬層包括多條第一電極和多條第二電極，所述多條第一電極和所述多條第二電極與第一方向平行且沿第二方向排列，各所述第二電極位于相鄰兩條第一電極之間，所述第一方向與所述第二方向垂直；位于襯底上的若干第二金屬層，所述第二金屬層的數量為兩條或三條，所述第二金屬層位于所述第一金屬層上或者所述第一金屬層位于所述第二金屬層上，所述若干第二金屬層平行于第二方向；位于第一區和所述第二金屬層之間的多個第一導電插塞，使各所述第二金屬層分別與所述第一區的多條所述第一電極電連接，多個所述第一導電插塞位于所述第一金屬層的一端；位于襯底上的若干第三金屬層，所述第三金屬層的數量為兩條或三條，所述第三金屬層位于所述第一金屬層上或者所述第一金屬層位于所述第三金屬層上，所述若干第三金屬層平行于第二方向；位于第二區和所述第三金屬層之間的多個第二導電插塞，使各第三金屬層分別與所述第二區的多條所述第二電極電連接，多個所述第二導電插塞位于所述第一金屬層的另一端。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。