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龍圖騰網(wǎng)恭喜株洲中車時代半導體有限公司申請的專利一種半導體器件的表面平坦化方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN114005748B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-05-27發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202111267168.5，技術領域涉及：H01L21/3105；該發(fā)明授權一種半導體器件的表面平坦化方法是由卜毅;羅湘;曾琪;曾凱;何逸濤;馮宇設計研發(fā)完成，并于2021-10-28向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本一種半導體器件的表面平坦化方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種半導體器件的表面平坦化方法，包括如下步驟，在硅襯底上沉積氧化層和氮化硅；對打開區(qū)域進行氧化形成終端區(qū)氧化層；沉積硬掩膜層；進行光刻，然后對硬掩膜層進行刻蝕；使用硬掩膜層充當刻蝕阻擋層，進行有源區(qū)溝槽刻蝕；去除溝槽內(nèi)損傷層，然后生長柵氧氧化層；表面淀積多晶硅，多晶硅填充滿所有溝槽；進行CMP研磨，實現(xiàn)晶圓表面平坦化；同步刻蝕氮化硅和氧化層，停留在元胞區(qū)氧化層上；將元胞區(qū)域溝槽內(nèi)高于硅平面的多晶硅和氧化層進行刻蝕，停留在與硅襯底表面，實現(xiàn)平坦化；本發(fā)明避免終端區(qū)的多晶硅殘留，不需要引入格外工藝去除硬掩膜層，工藝簡單，可以準確實現(xiàn)終點信號抓取，實現(xiàn)平坦化效果，保證產(chǎn)品的均一性。

本發(fā)明授權一種半導體器件的表面平坦化方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的表面平坦化方法，其特征是，包括如下步驟，1）在硅襯底上沉積元胞區(qū)氧化層和氮化硅；2）對打開區(qū)域進行氧化形成終端區(qū)氧化層；3）沉積硬掩膜層；4）進行光刻，然后對硬掩膜層進行刻蝕；5）使用硬掩膜層充當刻蝕阻擋層，進行有源區(qū)溝槽刻蝕；6）去除溝槽內(nèi)損傷層，然后生長柵氧氧化層；7）表面淀積多晶硅，多晶硅填充滿所有溝槽；8）進行CMP研磨，先研磨表面多晶硅，再研磨硬掩膜層和LOCOS處終端區(qū)氧化層，實現(xiàn)晶圓表面平坦化；9）同步刻蝕氮化硅和終端區(qū)氧化層，停留在元胞區(qū)氧化層上；10）將元胞區(qū)域溝槽內(nèi)高于硅平面的多晶硅和元胞區(qū)氧化層進行刻蝕，停留在與硅襯底表面，最終實現(xiàn)平坦化。

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