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龍圖騰網恭喜北京時代民芯科技有限公司;北京微電子技術研究所申請的專利一種高光刻膠選擇比硅隔離深槽刻蝕方法及系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114156172B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111271901.0，技術領域涉及：H01L21/3065；該發明授權一種高光刻膠選擇比硅隔離深槽刻蝕方法及系統是由楊小兵;王傳敏;孫金池;殷麗;趙昕;吳立成;王華設計研發完成，并于2021-10-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種高光刻膠選擇比硅隔離深槽刻蝕方法及系統在說明書摘要公布了：本發明提供了一種高光刻膠選擇比硅隔離深槽刻蝕方法及系統，采用合適的刻蝕鈍化階段氣體流量和時間，硅對光刻膠刻蝕選擇比高120：1，在整個刻蝕過程中可以直接用光刻膠作為刻蝕掩模；采用高射頻功率產生足夠高的等離子體密度，實現快速刻蝕，刻蝕速率可達5ummin；采用快速實現刻蝕和鈍化工藝切換時間和漸變的工藝參數來保證深槽的陡直度90°±0.1°，線條光滑。本發明直接用光刻膠作為刻蝕掩模，避免了在大于100微米深槽刻蝕中常規的金屬掩模，既使得工藝過程變得簡單，又不會對工藝腔室造成污染；其獨特的刻蝕性能可以有效地實現臺面高頻晶體管硅隔離深槽結構。

本發明授權一種高光刻膠選擇比硅隔離深槽刻蝕方法及系統在權利要求書中公布了：1.一種高光刻膠選擇比硅隔離深槽刻蝕方法，其特征在于包括下列步驟：1設置刻蝕階段、鈍化階段的氣體流量和時間，將硅對光刻膠刻蝕選擇比提高到120：1，在整個刻蝕過程中直接用光刻膠作為刻蝕掩模；所述步驟1中設置刻蝕階段、鈍化階段的氣體流量和時間，具體為：刻蝕階段氣體SF6流量為450sccm，時間為3.4s；鈍化階段氣體C4F8流量為250sccm，時間為2.6s；2設置射頻功率，即線圈功率，從而產生足夠高的等離子體密度，實現快速刻蝕，刻蝕速率5ummin；刻蝕階段的線圈功率為2500W，鈍化階段的線圈功率為2000W；3采用快速實現刻蝕和鈍化工藝切換和漸變的工藝參數來保證深槽的陡直度且線條光滑，陡直度為90°±0.1°，漸變的工藝參數包括電極功率和工藝壓力；采用快速實現刻蝕和鈍化工藝切換，具體為：刻蝕時間為3.4s；鈍化時間為2.6s；漸變參數下，電極功率刻蝕階段初始0.8s時間內為140W，其余2.6s時間內第一個工藝周期為30W，到第260工藝周期線性漸變為35W；電極功率鈍化階段第一個工藝周期為30W，到第260工藝周期線性漸變為35W；工藝壓力在刻蝕階段初始0.8s時間內為25mT，其余2.6s時間內第一個工藝周期為40mT，到第260工藝周期線性漸變為60mT。

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