恭喜長江存儲科技有限責任公司劉磊獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜長江存儲科技有限責任公司申請的專利一種半導體器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114005825B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111270722.5，技術領域涉及：H10D84/83；該發明授權一種半導體器件及其制備方法是由劉磊;楊遠程;周文犀;王迪;張坤;楊濤;趙冬雪;夏志良設計研發完成，并于2021-10-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體器件及其制備方法，包括襯底，位于襯底上的堆疊層，該堆疊層由上至下依次包括第一柵極層、第一絕緣層、第二柵極層和第二絕緣層，以及沿垂直于襯底的縱向貫穿第一柵極層和第一絕緣層的第一溝道結構，和沿縱向貫穿第二柵極層的第二溝道結構。該第二溝道結構的頂部與第一溝道結構的底部連接，第二溝道結構在垂直于縱向的截面的橫截面積大于第一溝道結構在垂直于縱向的截面的橫截面積。由于第一溝道結構的橫截面積較小，因此第一柵極層的選通速率更快，進而可以提高半導體器件的柵極控制能力。同時第二溝道結構的橫截面積較大，因此第二溝道結構可以支持更高的空穴存儲量，進而可以提高半導體器件的存儲能力。
本發明授權一種半導體器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，包括：襯底；位于所述襯底上的堆疊層，所述堆疊層由上至下依次包括第一柵極層、第一絕緣層、第二柵極層和第二絕緣層；沿垂直于所述襯底的縱向貫穿所述第一柵極層和所述第一絕緣層的第一溝道結構；沿所述縱向貫穿所述第二柵極層的第二溝道結構，所述第二溝道結構的頂部與所述第一溝道結構的底部連接，所述第二溝道結構在垂直于所述縱向的截面的橫截面積大于所述第一溝道結構在垂直于所述縱向的截面的橫截面積。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長江存儲科技有限責任公司，其通訊地址為：430205 湖北省武漢市東湖新技術開發區未來三路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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