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龍圖騰網恭喜上海新硅聚合半導體有限公司申請的專利一種復合襯底結構及其形貌改善方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114242766B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111312110.8，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權一種復合襯底結構及其形貌改善方法是由歐欣;陳陽;黃凱設計研發完成，并于2021-11-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種復合襯底結構及其形貌改善方法在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體材料加工技術領域，特別涉及一種復合襯底結構及其形貌改善方法。結構包括依次設置的第一應力平衡層、襯底層、第二應力平衡層、介質層和功能薄膜層；第一應力平衡層和第二應力平衡層材質相同，且制作工藝相同；第一應力平衡層用于根據復合襯底結構中的應力分布調整第一應力平衡層的厚度，以使復合襯底結構的形貌改善；第二應力平衡層用于平衡制作第一應力平衡層時所產生的應力。該復合襯底結構中，通過在襯底層的背面設置第一應力平衡層，第一應力平衡層作為應力補償層，在制備異質集成襯底時，通過調節該層的厚度實現晶圓形貌的優化，從而使異質晶圓的整體形貌能夠更有利于后續的流片加工。

本發明授權一種復合襯底結構及其形貌改善方法在權利要求書中公布了：1.一種復合襯底結構，其特征在于，包括第一應力平衡層（101）、襯底層（102）、第二應力平衡層（103）、介質層（104）和功能薄膜層（105）；所述襯底層（102）設置在所述第一應力平衡層（101）和第二應力平衡層（103）之間；所述介質層（104）制作在所述第二應力平衡層（103）上，所述介質層（104）用于提供所述功能薄膜層（105）的鍵合界面；所述功能薄膜層（105）制作在所述介質層（104）上，所述功能薄膜層（105）用于制作器件功能結構；所述第一應力平衡層（101）和所述第二應力平衡層（103）材質相同；所述第一應力平衡層（101）和所述第二應力平衡層（103）通過相同工藝且同時分別制作在所述襯底層（102）相對的兩個側面上；所述第一應力平衡層（101）用于根據所述復合襯底結構中的應力分布調整所述第一應力平衡層（101）的厚度，以調節所述復合襯底結構中的應力分布，改善所述復合襯底結構的彎曲情況，使所述復合襯底結構具有平整的形貌；所述第一應力平衡層（101）的厚度為0-2μm；所述第二應力平衡層（103）用于平衡制作所述第一應力平衡層（101）時所產生的應力；所述第二應力平衡層（103）的厚度為0.5-2μm；所述第一應力平衡層（101）的厚度小于等于所述第二應力平衡層（103）的厚度；且所述第一應力平衡層（101）內部的面內應力小于所述第二應力平衡層（103）內部的面內應力；所述功能薄膜層（105）內部的面內應力與所述第一應力平衡層（101）內部的面內應力方向相反；所述功能薄膜層（105）內部的面內應力與所述第二應力平衡層（103）內部的面內應力方向相反。

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