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龍圖騰網(wǎng)恭喜安徽大學(xué);合肥海圖微電子有限公司;合肥市微電子研究院有限公司申請的專利一種基于極性加固技術(shù)的14T抗輻照SRAM存儲電路獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114446349B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-27發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210081249.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G11C11/413；該發(fā)明授權(quán)一種基于極性加固技術(shù)的14T抗輻照SRAM存儲電路是由郝禮才;董琛;彭春雨;盧文娟;趙強;藺智挺;吳秀龍設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-01-24向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種基于極性加固技術(shù)的14T抗輻照SRAM存儲電路在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種基于極性加固技術(shù)的14T抗輻照SRAM存儲電路，包括六個NMOS晶體管和八個PMOS晶體管，六個NMOS晶體管依次記為N1～N6，八個PMOS晶體管依次記為P1～P8，PMOS晶體管P3和P4交叉耦合，PMOS晶體管P1、P2作為上拉管，NMOS晶體管N1、N2、N3、N4和PMOS晶體管P5、P6作為下拉管；兩個主存儲節(jié)點Q與QN通過NMOS晶體管N5與N6分別與位線BL和BLB相連，兩個冗余存儲節(jié)點S0與S1通過PMOS晶體管P7與P8分別與位線BL和BLB相連。該電路能夠提高存儲單元寫速度、降低單元功耗，并提高單元抗單粒子翻轉(zhuǎn)SEU能力。

本發(fā)明授權(quán)一種基于極性加固技術(shù)的14T抗輻照SRAM存儲電路在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于極性加固技術(shù)的14T抗輻照SRAM存儲電路，其特征在于，所述電路包括六個NMOS晶體管和八個PMOS晶體管，六個NMOS晶體管依次記為N1～N6，八個PMOS晶體管依次記為P1～P8，其中：主存儲節(jié)點Q通過NMOS晶體管N5與位線BL相連，主存儲節(jié)點QN通過NMOS晶體管N6與位線BLB相連，冗余存儲節(jié)點S0通過PMOS晶體管P8與位線BL相連，冗余存儲節(jié)點S1通過PMOS晶體管P7與位線BLB相連，其中：NMOS晶體管N5、N6由字線WLB控制，PMOS晶體管P7與P8由字線WL控制；位線BL與NMOS晶體管N5和PMOS晶體管P7的源極電連接，位線BLB與NMOS晶體管N6和PMOS晶體管P8的源極電連接；字線WL與PMOS晶體管P7和P8的柵極電連接，字線WLB與NMOS晶體管N5和N6的柵極電連接；NMOS晶體管N5的漏極與NMOS晶體管N1的柵極電連接，NMOS晶體管N6的漏極與NMOS晶體管N2的柵極電連接；PMOS晶體管P8的漏極與PMOS晶體管P3的漏極電連接，PMOS晶體管P7的漏極與PMOS晶體管P4的漏極電連接；PMOS晶體管P3的柵極與PMOS晶體管P4的漏極相連接，同時PMOS晶體管P4的柵極與PMOS晶體管P3的漏極相連接，即PMOS晶體管P3、P4形成MOS管的交叉耦合結(jié)構(gòu)；冗余存儲節(jié)點S0、S1分別連接PMOS晶體管P1、P2的柵極，PMOS晶體管P1、P2的源極連接到電路電源VDD，PMOS晶體管P1、P2的漏極連接到主存儲節(jié)點Q、QN；故PMOS晶體管P1、P2起到主存儲節(jié)點Q、QN的上拉晶體管的作用；NMOS晶體管N1的源極與冗余存儲節(jié)點S0連接，NMOS晶體管N2的源極與冗余存儲節(jié)點S1連接，NMOS晶體管N1、N2的漏極與電路地信號VSS相連接，故NMOS晶體管N1、N2起到冗余存儲節(jié)點S0、S1的下拉晶體管的作用；同理，NMOS晶體管N3的源極與主存儲節(jié)點Q連接，NMOS晶體管N4的源極與主存儲節(jié)點QN連接，NMOS晶體管N3、N4的漏極與電路地信號VSS相連接，故NMOS晶體管N3、N4起到主存儲節(jié)點Q、QN的下拉晶體管的作用；電源VDD與PMOS晶體管P1、P2的源極電連接，且電源VDD與PMOS晶體管P3、P4的源極電連接；NMOS晶體管N3、N4與NMOS晶體管N1、N2的漏極均接地；其中，各晶體管的具體連接關(guān)系為：PMOS晶體管P1的漏極與PMOS晶體管P6的柵極、NMOS晶體管N5的漏極、NMOS晶體管N1的柵極、NMOS晶體管N4的柵極以及NMOS晶體管N3的源極電連接；PMOS晶體管P1的柵極與PMOS晶體管P3的漏極、PMOS晶體管P5的源極以及PMOS晶體管P4的柵極電連接；PMOS晶體管P2的漏極與PMOS晶體管P5的柵極、NMOS晶體管N2的柵極、NMOS晶體管N6的漏極、NMOS晶體管N4的源極以及NMOS晶體管N3的柵極電連接；PMOS晶體管P2的柵極與PMOS晶體管P3的柵極、PMOS晶體管P4的漏極以及PMOS晶體管P6的源極電連接；PMOS晶體管P3的漏極與PMOS晶體管P5的源極、PMOS晶體管P4的柵極以及PMOS晶體管P8的漏極電連接；PMOS晶體管P3的柵極與PMOS晶體管P4的漏極、PMOS晶體管P6的源極以及PMOS晶體管P7的漏極電連接；PMOS晶體管P4的漏極與PMOS晶體管P3的柵極、PMOS晶體管P7的漏極以及PMOS晶體管P6的源極電連接；PMOS晶體管P4的柵極與PMOS晶體管P3的漏極、PMOS晶體管P8的漏極以及PMOS晶體管P5的源極電連接；PMOS晶體管P5的源極與PMOS晶體管P3的漏極、PMOS晶體管P7的漏極以及PMOS晶體管P4的柵極電連接；PMOS晶體管P5的漏極與NMOS晶體管N1的源極電連接；PMOS晶體管P5的柵極與PMOS晶體管P2的漏極、NMOS晶體管N2的柵極、NMOS晶體管N6的漏極、NMOS晶體管N4的源極以及NMOS晶體管N3的柵極電連接；PMOS晶體管P6的源極與PMOS晶體管P4的漏極、PMOS晶體管P3的柵極以及PMOS晶體管P7的漏極電連接；PMOS晶體管P6的漏極與NMOS晶體管N2的源極電連接；PMOS晶體管P6的柵極與PMOS晶體管P1的漏極、NMOS晶體管N5的漏極、NMOS晶體管N1的柵極、NMOS晶體管N4的柵極以及NMOS晶體管N3的源極電連接；PMOS晶體管P8的源極與位線BLB電連接；PMOS晶體管P8的漏極與PMOS晶體管P3的漏極、PMOS晶體管P4的柵極以及PMOS晶體管P5的源極電連接；PMOS晶體管P7的柵極與字線WL電連接；PMOS晶體管P7的源極與位線BL電連接；PMOS晶體管P7的漏極與PMOS晶體管P4的漏極、PMOS晶體管P3的柵極以及PMOS晶體管P6的源極電連接；PMOS晶體管P8的柵極與字線WL電連接；NMOS晶體管N1的源極與PMOS晶體管P5的漏極電連接；NMOS晶體管N1的柵極與NMOS晶體管N5的漏極、PMOS晶體管P1的漏極、PMOS晶體管P6的柵極、NMOS晶體管N4的柵極以及NMOS晶體管N3的源極電連接；NMOS晶體管N2的源極與PMOS晶體管P6的漏極電連接；NMOS晶體管N2的柵極與PMOS晶體管P2的漏極、PMOS晶體管P5的柵極、NMOS晶體管N6的漏極、NMOS晶體管N3的柵極以及NMOS晶體管N4的源極電連接；NMOS晶體管N3的源極與PMOS晶體管P1的漏極、PMOS晶體管P6的柵極、NMOS晶體管N1的柵極、NMOS晶體管N5的漏極以及NMOS晶體管N4的柵極電連接；NMOS晶體管N3的柵極與PMOS晶體管P2的漏極、PMOS晶體管P5的柵極、NMOS晶體管N2的柵極、NMOS晶體管N6的漏極以及NMOS晶體管N4的源極電連接；NMOS晶體管N4的源極與PMOS晶體管P2的漏極、PMOS晶體管P5的柵極、NMOS晶體管N2的柵極、NMOS晶體管N6的漏極以及NMOS晶體管N4的源極電連接；NMOS晶體管N4的柵極與PMOS晶體管P1的漏極、PMOS晶體管P6的柵極、NMOS晶體管N1的柵極、NMOS晶體管N5的漏極以及NMOS晶體管N4的柵極電連接；NMOS晶體管N5的源極與位線BL電連接；NMOS晶體管N5的漏極與PMOS晶體管P1的漏極、PMOS晶體管P6的柵極、NMOS晶體管N1的柵極、NMOS晶體管N3的源極以及NMOS晶體管N4的柵極電連接；NMOS晶體管N5的柵極與字線WLB電連接；NMOS晶體管N6的源極與位線BLB電連接；NMOS晶體管N6的漏極與PMOS晶體管P2的漏極、PMOS晶體管P5的柵極、NMOS晶體管N2的柵極、NMOS晶體管N3的柵極以及NMOS晶體管N4的源極電連接；NMOS晶體管N6的柵極與字線WLB電連接。

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