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龍圖騰網恭喜北京大學申請的專利一種單晶圓上波長可調諧的AlGaN基激光二極管及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119518421B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510081285.4，技術領域涉及：H01S5/10；該發明授權一種單晶圓上波長可調諧的AlGaN基激光二極管及其制備方法是由王新強;馬文結;李鴻漸;袁澤興;郭昱成;劉放設計研發完成，并于2025-01-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種單晶圓上波長可調諧的AlGaN基激光二極管及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種單晶圓上波長可調諧的AlGaN基激光二極管及其制備方法。本發明利用室溫干法與濕法結合的刻蝕方法制備出多個二維排列的脊圖案陣列，每一個脊圖案陣列具有多個不同的脊，每一個具有設定的寬度和形狀的脊對應一個激射波長，多個不同的脊分別對應多個不同的激射波長；由有效折射率設計脊圖案陣列，脊的寬度和形狀影響有效折射率，對橫向光學模場和載流子有限制作用，從而影響原子級超薄量子阱發光層的帶隙，進而調節激射波長，以實現單晶圓襯底上波長可調諧的AlGaN基激光二極管；本發明能夠實現較短的激射波長的精細調控，方法簡單易控制，顯著降低了生產時間和生長成本，在激射波長可調控的激光二極管領域具有廣泛應用。

本發明授權一種單晶圓上波長可調諧的AlGaN基激光二極管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種單晶圓上波長可調諧的AlGaN基激光二極管的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：1）將單晶圓襯底放置在外延設備的生長腔內，在單晶圓襯底的上表面生長AlN緩沖層；2）在AlN緩沖層的上表面通過溫度漸變結合Ga源和Al源流量漸變的方式，生長厚度為微米級的AlGaN薄膜層；在生長的過程中，進行多周期循環生長，在每一個生長周期中，溫度逐漸由低變到高，同時Ga源逐漸減少而Al源逐漸增加，多次周期循環，從而獲得AlGaN薄膜層；3）在AlGaN薄膜層的上表面生長多周期的超晶格薄膜層，以釋放底層的應力，減少表面裂紋；4）在超晶格薄膜層的上表面依次生長n型包覆層、n型波導層、原子級超薄量子阱發光層、p型波導層、p型包覆層和p型GaN層，獲得AlGaN基激光二極管外延片；5）設計原子級超薄量子阱發光層的有效折射率：根據激射波長設定有效折射率，由有效折射率設計脊；有效折射率與脊的寬度和形狀有關，脊的寬度和形狀對橫向光學模場和載流子有限制作用，從而影響原子級超薄量子阱發光層的帶隙，進而調節激射波長；6）制備脊圖案陣列：利用室溫干法與濕法結合的刻蝕方法制備出多個二維排列的脊圖案陣列；每個脊圖案陣列包括形成在端面上的多個沿寬度方向一維排列的脊，各個脊具有不同的寬度和或形狀；脊寬度所在的側面作為激光二極管的出光面，脊長度所在的兩個側面作為諧振腔；刻蝕深度超過原子級超薄量子阱發光層，且不超過超晶格薄膜層的上表面；每一個具有設定的寬度和形狀的脊對應一個激射波長，在每一個脊圖案陣列中，多個不同的脊分別對應多個不同的激射波長；7）在脊的上表面和端面的上表面分別制作p型電極和n型電極，將正面具有二維排列的脊圖案陣列的AlGaN基激光二極管外延片清洗干凈后，從單晶圓襯底背面進行切割，獲得AlGaN基激光二極管芯片；8）將AlGaN基激光二極管芯片放置在光學平臺的樣品位置，接入泵浦源，收集激光信號，測試具有脊圖案陣列的激光二極管芯片的各個不同的激射波長。

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