恭喜應用材料公司孫世宇獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜應用材料公司申請的專利水平全環柵和FinFET器件隔離獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113161421B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110148577.7，技術領域涉及：H10D30/62；該發明授權水平全環柵和FinFET器件隔離是由孫世宇;N·吉田;T·K·加里尼;S·W·君;V·皮納;E·A·C·桑切斯;B·哥倫畢尤;M·出德齊克;B·伍德;N·金設計研發完成，并于2016-05-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本水平全環柵和FinFET器件隔離在說明書摘要公布了：本申請公開了水平全環柵和FinFET器件隔離。本文中所述的實施例總體涉及用于水平全環柵hGAA隔離和鰭式場效應晶體管FinFET隔離的方法和裝置。可在基板上形成包括按交替式堆疊形成來布置的不同材料的超晶格結構。在一個實施例中，可氧化超晶格結構的層中的至少一層以形成鄰接基板的埋入式氧化物層。
本發明授權水平全環柵和FinFET器件隔離在權利要求書中公布了：1.一種形成半導體器件的方法，所述方法包括以下步驟：在基板上形成超晶格結構，其中所述超晶格結構包括：含硅材料層；第一硅鍺材料層，該第一硅鍺材料層具有第一鍺含量，其中所述含硅材料層和所述第一硅鍺材料層以交替的堆疊布置設置在所述超晶格結構內；以及第二硅鍺材料層，該第二硅鍺材料層具有大于所述第一硅鍺材料層的所述第一鍺含量的第二鍺含量，其中所述第二硅鍺材料層設置在所述基板上；蝕刻所述超晶格結構；在所述超晶格結構上沉積襯層；在沉積所述襯層之后，在所述基板上沉積氧化物材料層；以及在沉積所述氧化物材料層之后氧化所述第二硅鍺材料層，從而形成埋入式氧化物層，其中所述襯層選擇性地防止所述含硅材料層和所述第一硅鍺材料層的氧化。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人應用材料公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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