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龍圖騰網(wǎng)恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體器件的形成方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN113097056B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-05-23發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：201911338309.0，技術領域涉及：H01L21/027；該發(fā)明授權半導體器件的形成方法是由紀世良;劉盼盼;張海洋設計研發(fā)完成，并于2019-12-23向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本半導體器件的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體器件的形成方法，包括：提供目標刻蝕層，在所述目標刻蝕層上依次形成初始掩膜層、抗反射層以及圖形化結構；以所述圖形化結構為掩膜，對所述抗反射層進行第一次刻蝕，去除部分厚度的所述抗反射層；對所述圖形化結構進行表面處理；對所述抗反射層進行第二次刻蝕，直至露出所述初始掩膜層的表面。本發(fā)明提供的半導體器件的形成方法，可以改善最終形成的刻蝕圖形的線寬粗糙度，同時保證刻蝕圖形與預期目標尺寸相符。

本發(fā)明授權半導體器件的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：提供目標刻蝕層，在所述目標刻蝕層上依次形成初始掩膜層、抗反射層以及圖形化結構，所述圖形化結構具有第一粗糙度；以所述圖形化結構為掩膜，對所述抗反射層進行第一次刻蝕，去除部分厚度的所述抗反射層，第一次刻蝕去除的所述抗反射層的部分厚度占所述抗反射層厚度的5%~95%；對所述圖形化結構進行表面處理，使所述圖形化結構具有的第一粗糙度變?yōu)榈诙植诙?，所述第二粗糙度小于所述第一粗糙度；對所述抗反射層進行第二次刻蝕，直至露出所述初始掩膜層的表面，所述第一次刻蝕和所述第二次刻蝕的工藝參數(shù)相同，所述工藝參數(shù)包括：刻蝕氣體包括CHxFy氣體中的一種或多種的組合，其中，x為大于等于0的自然數(shù)，y為大于等于1的自然數(shù)，且x+y=4，刻蝕壓強為5~100毫托，刻蝕功率為100~1200瓦。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢嗳?a target="_blank" rel="noopener noreferrer nofollow" >中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。