恭喜日月光半導體制造股份有限公司余遠灝獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜日月光半導體制造股份有限公司申請的專利半導體設備封裝和其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113839192B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010580741.7，技術領域涉及：H01Q1/38；該發明授權半導體設備封裝和其制造方法是由余遠灝;何政霖;施佑霖設計研發完成，并于2020-06-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體設備封裝和其制造方法在說明書摘要公布了：本公開關于一種半導體設備封裝和其制造方法。所述半導體設備封裝具有天線。所述天線包括第一介電層、第一導電層及第二介電層。所述第一介電層具有第一表面及與所述第一表面相對的第二表面。所述第一導電層位于所述第一介電層的所述第一表面上。所述第一導電層具有饋入端。所述第二介電層位于所述第一介電層上。所述第二介電層覆蓋所述第一導電層的一部分，并暴露所述第一導電層的所述饋入端。
本發明授權半導體設備封裝和其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種天線，其包括：第一介電層12d3，其具有第一表面及與所述第一表面相對的第二表面；第一導電層12c2，其接觸所述第一介電層的所述第一表面，且露出所述第一表面的部分，所述第一導電層具有饋入端12cf；及第二介電層12d4，其接觸所述第一介電層的所述第一表面的所述部分，其中所述第二介電層覆蓋并接觸所述第一導電層的上表面、與側表面一部分，并暴露所述第一導電層的所述饋入端的側表面及下表面，其中所述饋入端的所述側表面及所述下表面接觸導電結構10s并透過所述導電結構連接襯底10，其中所述饋入端的所述下表面的寬度小于所述第一導電層的所述下表面的寬度，且其中所述饋入端的所述側表面與所述第一表面大體上平行。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人日月光半導體制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣高雄市楠梓加工區經三路26號郵編81170；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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