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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利用于HEMT器件的側壁鈍化獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111883588B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010743083.9，技術領域涉及：H10D30/47；該發明授權用于HEMT器件的側壁鈍化是由邱漢欽;陳祈銘;蔡正原;姚福偉設計研發完成，并于2015-04-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于HEMT器件的側壁鈍化在說明書摘要公布了：本發明的一些實施例涉及包括布置在半導體襯底上方的異質結結構的高電子遷移率晶體管HEMT。異質結結構包括用作e?HEMT的溝道區的由第一III?氮化物材料制成的二元IIIV半導體層以及用作阻擋層的布置在二元IIIV半導體層上方并且由第二III?氮化物材料制成的三元IIIV半導體層。源極區和漏極區布置在三元IIIV半導體層上方并且彼此橫向間隔開。柵極結構布置在異質結結構上方并且布置在源極區和漏極區之間。柵極結構由第三III?氮化物材料制成。第一鈍化層設置在柵極結構的側壁周圍并且由第四III?氮化物材料制成。本發明的實施例還涉及用于HEMT器件的側壁鈍化。

本發明授權用于HEMT器件的側壁鈍化在權利要求書中公布了：1.一種高電子遷移率晶體管，包括：異質結結構，布置在半導體襯底上，所述異質結結構包括：包括第一III-氮化物材料的溝道層、以及包括第二III-氮化物材料的阻擋層；源極區和漏極區，與所述異質結結構的上表面直接接觸并且彼此橫向間隔開；柵極結構，布置在所述異質結結構上方并且布置在所述源極區和所述漏極區之間，其中，所述柵極結構包括與所述異質結結構的所述上表面直接接觸的第三III-氮化物材料，并且所述柵極結構具有經蝕刻的側壁；第一鈍化層，共形地設置在所述柵極結構的所述經蝕刻的側壁的所有側壁表面和上表面上方并且包括第四III-氮化物材料；以及第二鈍化層，共形地設置在所述第一鈍化層之上；其中，所述第一鈍化層具有第一厚度，所述第二鈍化層具有大于所述第一厚度的第二厚度，其中，在橫向方向上，所述柵極結構的所述經蝕刻的側壁的一部分、所述第一鈍化層的一部分和所述第二鈍化層的一部分彼此鄰接且重疊；覆蓋層，共形地設置在所述第二鈍化層上；金屬柵電極，包括覆蓋在覆蓋層的上表面上的邊緣，并且包括沿著穿過所述覆蓋層、所述第二鈍化層和第一鈍化層的開口的側壁向下延伸的內側壁，所述金屬柵電極的底面低于所述柵極結構的頂面以延伸進入所述柵極結構，從而與所述柵極結構電連接。

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