買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)恭喜英特爾公司申請(qǐng)的專利用于晶體管的柵極獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN110383490B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-27發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201780087753.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/67；該發(fā)明授權(quán)用于晶體管的柵極是由V·H·勒;A·A·夏爾馬;R·皮拉里塞泰;G·W·杜威;S·希瓦拉曼;T·A·特羅尼克;S·加德納;T·加尼設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2017-03-31向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本用于晶體管的柵極在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：公開(kāi)了用于一種設(shè)備的襯底、組件和技術(shù)，其中所述設(shè)備包括：柵極，其中，柵極包括第一柵極側(cè)和與所述第一柵極側(cè)相對(duì)的第二柵極側(cè)；柵極上的柵極電介質(zhì)，其中柵極電介質(zhì)包括第一柵極電介質(zhì)側(cè)和與第一柵極電介質(zhì)側(cè)相對(duì)的第二柵極電介質(zhì)側(cè)；第一電介質(zhì)，其中第一電介質(zhì)鄰接第一柵極側(cè)、第一柵極電介質(zhì)側(cè)、第二柵極側(cè)和第二柵極電介質(zhì)側(cè)；溝道，其中柵極電介質(zhì)在溝道和柵極之間；與溝道耦合的源極；以及與溝道耦合的漏極，其中第一電介質(zhì)鄰接源極和漏極。在示例中，第一電介質(zhì)和柵極電介質(zhì)有助于使柵極與溝道、源極和漏極絕緣。

本發(fā)明授權(quán)用于晶體管的柵極在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種設(shè)備，包括：柵極，其中，所述柵極包括第一柵極側(cè)和與所述第一柵極側(cè)相對(duì)的第二柵極側(cè)；所述柵極上的柵極電介質(zhì)，其中，所述柵極電介質(zhì)包括第一柵極電介質(zhì)側(cè)和與所述第一柵極電介質(zhì)側(cè)相對(duì)的第二柵極電介質(zhì)側(cè)；第一電介質(zhì)，其中，所述第一電介質(zhì)鄰接所述第一柵極側(cè)、所述第一柵極電介質(zhì)側(cè)、所述第二柵極側(cè)和所述第二柵極電介質(zhì)側(cè)；溝道，其中，所述柵極電介質(zhì)在所述溝道和所述柵極之間；與所述溝道耦合的源極；與所述溝道耦合的漏極，其中，所述第一電介質(zhì)鄰接所述源極和所述漏極；以及處于所述第一電介質(zhì)的一部分和所述源極之間的第二電介質(zhì)。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人英特爾公司，其通訊地址為：美國(guó)加利福尼亞；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。