恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司陳佳政獲國家專利權
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龍圖騰網(wǎng)恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利互連層及其制造方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN113053800B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-05-23發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202011221811.6，技術領域涉及：H01L21/768；該發(fā)明授權互連層及其制造方法是由陳佳政;張惠政;黃富明;陳科維;陳亮吟;張?zhí)馁F;楊育佳;梁威威;崔驥設計研發(fā)完成，并于2020-11-05向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。
本互連層及其制造方法在說明書摘要公布了：本公開涉及互連層及其制造方法。本公開描述了一種用于在導電結構中平坦化釕金屬層的方法。該方法包括在第二導電結構上形成第一導電結構，其中，形成第一導電結構包括在設置在第二導電結構上的電介質層中形成開口，以及在開口中沉積釕金屬以過度填充開口。形成第一導電結構包括摻雜釕金屬以及拋光經(jīng)摻雜的釕金屬以形成第一導電結構。
本發(fā)明授權互連層及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種制造互連層的方法，包括：在襯底上形成第一互連層，其中，形成所述第一互連層包括：在設置在所述襯底上的電介質層中形成開口；在所述開口中沉積釕金屬襯里；在所述釕金屬襯里上沉積銅金屬以填充所述開口；拋光所述銅金屬；摻雜所述釕金屬襯里；以及拋光經(jīng)摻雜的釕金屬襯里以在所述第一互連層中形成導電結構；以及在所述第一互連層上形成第二互連層；其中，摻雜所述釕金屬襯里包括：使用碳C、硼B(yǎng)、磷P、氧O、硅Si、氬Ar、鍺Ge、砷As或氙Xe來摻雜所述釕金屬襯里。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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