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龍圖騰網恭喜應用材料公司申請的專利用于硅穿孔沉積的擴展腔室的方法和設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116137873B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180059641.2，技術領域涉及：C23C14/35；該發明授權用于硅穿孔沉積的擴展腔室的方法和設備是由D·岡瑟;宋佼;K·N·薩萬戴安;I·H·懷索克;A·C-T·陳設計研發完成，并于2021-07-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于硅穿孔沉積的擴展腔室的方法和設備在說明書摘要公布了：一種設備利用具有大約400毫米的晶片到靶材距離的物理氣相沉積PVD處理腔室在硅穿孔TSV結構上沉積鉭膜。PVD處理腔室包括配置有雙磁體源補償的源。PVD腔室還包括：在腔室主體外部緊鄰源的上方電磁體組件；源中的磁控管組件，所述磁控管組件包括具有雙半徑軌道的雙磁體；腔室主體內的屏蔽件；以及多個接地回路，所述接地回路圍繞基板支撐組件的周邊對稱地間隔開并被配置成在基板支撐組件和屏蔽件之間提供RF接地返回路徑。

本發明授權用于硅穿孔沉積的擴展腔室的方法和設備在權利要求書中公布了：1.一種用于在硅穿孔TSV上沉積鉭膜的設備，包括：物理氣相沉積PVD處理腔室，所述PVD處理腔室具有源和包括處理容積的腔室主體，所述源具有定位在所述處理容積的頂部上方的雙磁體，所述PVD處理腔室具有350毫米至450毫米的晶片至靶材距離，其中所述源被配置成當存在靶材時，在垂直方向上移動所述源的所述雙磁體，以恒定地保持所述雙磁體的底部表面與所述靶材的底部表面之間的距離；第一電磁體組件，所述第一電磁體組件在所述腔室主體外部比所述處理腔室的基板支撐組件更靠近所述處理腔室的所述源；磁控管組件，所述磁控管組件在所述源中，所述磁控管組件包括所述雙磁體，所述雙磁體的第一磁體以第一半徑圍繞中央軸旋轉且所述雙磁體的第二磁體以第二半徑圍繞所述中央軸旋轉，其中所述第一半徑大于所述第二半徑；屏蔽件，所述屏蔽件在所述腔室主體內；以及多個接地回路，所述多個接地回路圍繞基板支撐組件的周邊對稱地間隔開，所述多個接地回路被配置成提供所述基板支撐組件與所述屏蔽件之間的RF接地返回路徑。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人應用材料公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。