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龍圖騰網(wǎng)恭喜英飛凌科技股份有限公司申請(qǐng)的專利碳化硅半導(dǎo)體構(gòu)件獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN110299399B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-03發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201910221793.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權(quán)碳化硅半導(dǎo)體構(gòu)件是由R.魯普;L.維爾哈恩-基利安;B.齊佩柳斯設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-03-22向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本碳化硅半導(dǎo)體構(gòu)件在說(shuō)明書摘要公布了：半導(dǎo)體構(gòu)件（500）具有SiC半導(dǎo)體本體（100）。在所述SiC半導(dǎo)體本體（100）中構(gòu)造有第一導(dǎo)電型的漂移區(qū)（131）和半導(dǎo)體區(qū)域（120、140）。從半導(dǎo)體區(qū)域（120、140）延伸到漂移區(qū)（131）中的屏障結(jié)構(gòu)（180）和柵結(jié)構(gòu)（150）不同。

本發(fā)明授權(quán)碳化硅半導(dǎo)體構(gòu)件在權(quán)利要求書中公布了：1.半導(dǎo)體構(gòu)件，該半導(dǎo)體構(gòu)件具有：SiC半導(dǎo)體本體100，在所述SiC半導(dǎo)體本體中構(gòu)造有第一導(dǎo)電型的漂移區(qū)131和半導(dǎo)體區(qū)域120、140；其中，所述SiC半導(dǎo)體本體100的多型體是4H-SiC多型體，其中，在所述漂移區(qū)131和半導(dǎo)體區(qū)域120、140之間構(gòu)造有結(jié)，并且其中，主晶格面401是0001晶格面，所述主晶格面以至少2°并且最高8°的角度α斜向穿過(guò)所述結(jié)；柵結(jié)構(gòu)150；以及屏障結(jié)構(gòu)180，所述屏障結(jié)構(gòu)從所述半導(dǎo)體區(qū)域120、140延伸到所述漂移區(qū)131中，其中所述屏障結(jié)構(gòu)180和所述柵結(jié)構(gòu)150不同，其中，所述屏障結(jié)構(gòu)180具有橫向范圍w1并且垂直于所述橫向范圍w1具有縱向范圍l1，所述縱向范圍是所述橫向范圍w1的至少五倍，其中所述縱向范圍l1平行于在所述主晶格面401和所述結(jié)之間的交線延伸，其中，所述屏障結(jié)構(gòu)180能夠阻止晶體缺陷沿著所述主晶格面401的擴(kuò)散。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人英飛凌科技股份有限公司，其通訊地址為：德國(guó)瑙伊比貝爾格市坎芘昂1-15號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。