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龍圖騰網恭喜康寧股份有限公司申請的專利在玻璃基材上形成薄膜晶體管的方法以及由此形成的液晶顯示器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111937150B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-03發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980023272.4，技術領域涉及：H10D86/60；該發明授權在玻璃基材上形成薄膜晶體管的方法以及由此形成的液晶顯示器是由M-H·黃;R·B·李;R·瓦迪;朱斌設計研發完成，并于2019-03-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本在玻璃基材上形成薄膜晶體管的方法以及由此形成的液晶顯示器在說明書摘要公布了：薄膜晶體管TFT液晶顯示器LCD包括在上方的液晶顯示層與下方的玻璃基材之間劃界的多個圖像像素。每個圖像像素包括設置在玻璃基材上方的專用頂柵TFT。每個頂柵薄膜晶體管包括設置在玻璃基材上方的工藝敏感性半導體層，以及設置在工藝敏感性半導體層上方的源電極和漏電極。工藝敏感性半導體層在源電極與漏電極之間形成工藝敏感性半導體有源層，并且在工藝敏感性半導體有源層的上方設置有源層保護膜。在源電極與漏電極之間的有源層保護膜上方設置有柵極電介質層，并且在柵極電介質層的上方設置有柵電極。

本發明授權在玻璃基材上形成薄膜晶體管的方法以及由此形成的液晶顯示器在權利要求書中公布了：1.一種制造多個頂柵薄膜晶體管的方法，所述方法包括：使用高溫化學氣相沉積CVD，在玻璃基材上形成工藝敏感性半導體層，其中，工藝敏感性半導體層由過渡金屬二硫屬化物（TMD）半導體材料和有機半導體材料中的至少一種形成；在工藝敏感性半導體層的上表面上形成第一金屬層；圖案化第一金屬層和工藝敏感性半導體層，并且在工藝敏感性半導體層上形成電極對單元的陣列，其中，每個電極對單元包括源電極以及與源電極間隔開的漏電極，并且工藝敏感性半導體有源層在源電極與漏電極之間延伸；在電極對單元的陣列上形成保護膜；圖案化工藝敏感性半導體層和保護膜，以及在玻璃基材上形成有源層電極對單元的陣列，其中，有源層電極對單元各自包括在源電極與漏電極之間延伸的工藝敏感性半導體有源層上的有源層保護膜，并且在圖案化工藝敏感性半導體層期間，有源層保護膜保護在源電極與漏電極之間延伸的工藝敏感性半導體有源層，其中，所述有源層保護膜由耐氧等離子體材料形成；在有源層電極對單元的陣列上形成電介質層，其中，電介質層在每個有源層電極對單元的源電極與漏電極之間延伸的有源層保護膜上方形成柵極電介質層；圖案化電介質層并且從每個有源層電極對單元的源電極和漏電極中移除電介質層；在有源層電極對單元的陣列上形成第二金屬層；以及圖案化第二金屬層并且對于每一個有源層電極對單元，形成源電極上的接觸墊，漏電極上的接觸墊和柵極電介質層上的頂柵電極，其中，利用氧等離子體圖案化對工藝敏感性半導體層進行圖案化，有源層保護膜包括氧化物，并且在對工藝敏感性半導體層進行圖案化期間，有源層保護膜保護每個有源層電極對單元的工藝敏感性半導體有源層不受氧等離子體損壞。

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