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龍圖騰網恭喜美盛隆制罐(惠州)有限公司;西安理工大學申請的專利一種基于納米壓印技術的防偽微納米結構圖案的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114415468B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111665445.8，技術領域涉及：G03F7/00；該發明授權一種基于納米壓印技術的防偽微納米結構圖案的制備方法是由曾阿梅;陳靜;方長青;程有亮設計研發完成，并于2021-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于納米壓印技術的防偽微納米結構圖案的制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種基于納米壓印技術的防偽微納米結構圖案的制備方法。本發明采用聚二甲基硅氧烷作為壓印軟模板，紫外光刻膠LOR膠兩層膠系統，通過納米壓印光刻技術制備出微觀形貌、尺寸可控的納米結構圖案。該方法簡單易行、成本低、效率高，并且可以制備大面積的納米結構圖案。本發明制備的納米結構圖案除了可以用于產生智能防偽微納米結構色，在光電器件以及仿生結構的制備中也具有廣泛的應用前景。

本發明授權一種基于納米壓印技術的防偽微納米結構圖案的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于納米壓印技術的微納米結構圖案的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：1對基底表面進行預處理；2在基底表面旋涂LOR膠，加熱固化，形成底層；LOR膠固化溫度為90～120℃；所述LOR膠為聚甲基丙烯酸酯；3在底層上旋涂紫外光刻膠，經過加熱處理；紫外光刻膠的加熱溫度為80～120℃；所述紫外光刻膠為Amonil光刻膠；4聚二甲基硅氧烷軟模板的制備，將聚二甲基硅氧烷軟模板放置在涂覆有光刻膠的基底上，經紫外曝光處理后，將軟模板與基底分離，得到印有微納米結構圖案的涂覆有光刻膠的基底；5采用反應離子刻蝕技術刻蝕紫外光刻膠，露出LOR膠底層；利用反應離子刻蝕技術刻蝕紫外光刻膠的條件為：刻蝕氣體為CHF3與O2；CHF3與O2流量比為4～10：1～5；刻蝕功率為12～30W，壓強為5～7mtorr；6以紫外光刻膠為掩膜層，刻蝕LOR膠；采用反應離子刻蝕技術刻蝕LOR膠的條件為：刻蝕氣體為O2；O2的流量為10～30sccm；刻蝕功率為20～50W，壓強為20～50mtorr；7以紫外光刻膠和LOR膠為掩膜，刻蝕基底，將微納米結構圖案轉移到基底上。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人美盛隆制罐(惠州)有限公司;西安理工大學，其通訊地址為：516227 廣東省惠州市惠陽區鎮隆鎮大路背；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。