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龍圖騰網(wǎng)恭喜長江存儲科技有限責任公司申請的專利半導體器件的制作方法、半導體器件及存儲器系統(tǒng)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114551456B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210087469.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B41/35；該發(fā)明授權(quán)半導體器件的制作方法、半導體器件及存儲器系統(tǒng)是由郭申;張志雄;桑瑞;李剛;張成;謝海波設計研發(fā)完成，并于2022-01-25向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導體器件的制作方法、半導體器件及存儲器系統(tǒng)在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┮环N半導體器件的制作方法、半導體器件及存儲器系統(tǒng)，該制作方法包括：在襯底上形成介質(zhì)層和多個間隔設置的第一淺隔離槽，襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，介質(zhì)層填充第一淺隔離槽，第一淺隔離槽位于第一區(qū)域中，相鄰兩個第一淺隔離槽之間的襯底形成鰭部；形成第一開口和至少兩個第二開口，第一開口暴露出鰭部的頂端，第二開口貫穿第二區(qū)域上的介質(zhì)層；形成第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)，第一柵極結(jié)構(gòu)包裹頂端，第二柵極結(jié)構(gòu)位于相鄰兩個第二開口之間的介質(zhì)層上；通過第二開口，在第二區(qū)域中形成源極和漏極，從而能簡化半導體器件的制作工藝，降低工藝成本。

本發(fā)明授權(quán)半導體器件的制作方法、半導體器件及存儲器系統(tǒng)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括：提供襯底，所述襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在所述襯底上形成介質(zhì)層和多個間隔設置的第一淺隔離槽，所述介質(zhì)層填充所述第一淺隔離槽，所述第一淺隔離槽位于所述第一區(qū)域中，相鄰兩個所述第一淺隔離槽之間的所述襯底形成鰭部；在同一工藝步驟中在所述介質(zhì)層中形成第一開口和至少兩個第二開口，所述第一開口延伸至所述第一淺隔離槽內(nèi)，且暴露出所述鰭部的頂端，所述第二開口位于所述第二區(qū)域上且貫穿所述介質(zhì)層；形成第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)，所述第一柵極結(jié)構(gòu)包裹所述頂端，所述第二柵極結(jié)構(gòu)位于相鄰兩個所述第二開口之間的所述介質(zhì)層上；通過所述第二開口，在所述第二區(qū)域中形成源極和漏極。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人長江存儲科技有限責任公司，其通訊地址為：430205 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)未來三路88號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。