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龍圖騰網(wǎng)恭喜中國電子科技集團公司第三十三研究所申請的專利一種石墨烯吸波超表面去耦設(shè)計方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115020991B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210634377.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01Q17/00；該發(fā)明授權(quán)一種石墨烯吸波超表面去耦設(shè)計方法是由趙亞娟;郭亞紅;李鑫;董春雨;張小剛;鞠軍燕設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-06-07向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種石墨烯吸波超表面去耦設(shè)計方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于去耦設(shè)計方法技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種石墨烯吸波超表面去耦設(shè)計方法，包括下列步驟：基于阻抗匹配理論，建立組合結(jié)構(gòu)吸波材料的物理模型；計算吸波層的方阻值；利用CST軟件實現(xiàn)吸波材料幾何結(jié)構(gòu)建模；獲得吸波特性仿真參數(shù)；利用化學(xué)氣相沉積CVD法制備石墨烯，利用激光刻蝕技術(shù)制備超表面吸波材料樣品；測試吸波特性和芯片間隔離度。本發(fā)明基于阻抗匹配特性，研究不同電導(dǎo)率石墨烯薄膜電磁損耗特性，提高電磁波吸收率，采用十字型和四凹字組合結(jié)構(gòu)，利用仿真軟件實現(xiàn)超表面單元優(yōu)化設(shè)計，實現(xiàn)雙頻諧振；利用陶瓷制備化學(xué)性能穩(wěn)定的超薄介質(zhì)層。

本發(fā)明授權(quán)一種石墨烯吸波超表面去耦設(shè)計方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種石墨烯吸波超表面去耦設(shè)計方法，其特征在于：包括下列步驟：S1、基于阻抗匹配理論，建立組合結(jié)構(gòu)吸波材料的物理模型；所述S1中的組合結(jié)構(gòu)吸波材料的物理模型包括介質(zhì)層、吸波層，所述吸波層蝕刻在介質(zhì)層上形成超表面單元；所述超表面單元包括第一單元和第二單元，所述第一單元為十字形結(jié)構(gòu)，所述第二單元為四凹字結(jié)構(gòu)，所述第一單元的十字形結(jié)構(gòu)與第二單元的四凹字結(jié)構(gòu)相配合，四個所述第一單元的十字形結(jié)構(gòu)分別插接在第二單元四凹字結(jié)構(gòu)的四個凹槽內(nèi)；S2、計算吸波層的方阻值；S3、利用CST軟件實現(xiàn)吸波材料幾何結(jié)構(gòu)建模；所述S3中利用CST軟件實現(xiàn)吸波材料幾何結(jié)構(gòu)建模的方法為：利用CST電磁仿真軟件建模，針對兩個或多個芯片與超表面吸波材料空間布局，設(shè)計空間電磁波傳輸路徑，獲得吸波材料對第三芯片空間電磁波的高效吸收，降低對第一芯片和第二芯片的電磁干擾，提升芯片間隔離度；S4、獲得吸波特性仿真參數(shù)；S5、利用化學(xué)氣相沉積CVD法制備石墨烯，利用激光刻蝕技術(shù)制備超表面吸波材料樣品；所述S5中利用化學(xué)氣相沉積CVD法制備石墨烯的方法為：包括下列步驟：S5.1、在低壓條件下，采用銅作為金屬催化劑基底，甲烷、長鏈烷烴作為碳源；S5.2、碳源在催化劑表面吸附；S5.3、碳源脫附；S5.4、將碳源進行脫氫分解；S5.5、碳原子在催化劑表面的遷移；S5.6、碳原子在表面直接成核并生長成石墨烯；S5.7、碳原子在高溫下融入金屬銅體相；S5.8、碳原子在金屬體內(nèi)擴散；S5.9、降溫，碳原子從金屬體相中析出，并在表面成和生長石墨烯；S6、測試吸波特性和芯片間隔離度。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中國電子科技集團公司第三十三研究所，其通訊地址為：030032 山西省太原市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)彩虹街1號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。