恭喜南開大學周經獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜南開大學申請的專利一種HZO鐵電材料的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118007101B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410004481.7，技術領域涉及：C23C16/455；該發明授權一種HZO鐵電材料的制備方法是由周經;寧帥;羅鋒設計研發完成，并于2024-01-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種HZO鐵電材料的制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種HZO鐵電材料的制備方法，在基底上生長底電極，使用原子層沉積ALD在底電極上進行沉積，沉積完畢得非晶HZO薄膜，對HZO進行快速熱退火，即得鐵電薄膜，在退火過程中不需要頂電極輔助，即可獲得魯棒的鐵電性。此外，通過在氧氣下退火，將循環耐久性提高到了超1010個循環。通過優化HZO的生長工藝、退火工藝以及后續的電極層疊加方式，成功地提高了HZO的鐵電極化和耐久性。該方法主要涉及到缺陷調控和界面工程技術，以改善HZO存在的缺陷，提高界面質量，從而降低漏電流和提高疲勞壽命。通過本方法，HZO薄膜展現出高達29μCcm2的剩余極化強度與超過3×1010的循環性，提升了HZO的鐵電性能，為其在高性能電子器件中的應用提供了可能。
本發明授權一種HZO鐵電材料的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種HZO鐵電材料的制備方法，其特征在于：在基底上生長底電極，所述底電極為W，使用原子層沉積ALD在底電極上進行沉積，以四二乙氨基鉿、四二乙氨基鋯和H2O作為原料，四二乙氨基鉿、四二乙氨基鋯、H2O摩爾比為1:1:2，沉積完畢得非晶HZO薄膜，其中所述沉積的步驟中，載氣為氮氣，體系壓強為0.17Torr，沉積溫度為200℃，對HZO進行快速熱退火，經過退火，得到多晶HZO鐵電薄膜，其中，退火氣氛為氧氣，退火時間為10秒；其中退火過程中不需要頂電極輔助。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南開大學，其通訊地址為：300350 天津市津南區海河教育園同硯路38號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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