恭喜深圳市馭能科技有限公司茹思敏獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜深圳市馭能科技有限公司申請的專利一種納米晶隔磁片及其制備方法和應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119314792B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411835092.5，技術領域涉及：H01F41/02；該發明授權一種納米晶隔磁片及其制備方法和應用是由茹思敏;李兆玉;李準;張華;曾志超設計研發完成，并于2024-12-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種納米晶隔磁片及其制備方法和應用在說明書摘要公布了：本發明屬于電磁屏蔽材料技術領域，具體涉及一種納米晶隔磁片及其制備方法和應用。所述制備方法包括如下步驟：將納米晶帶材經繞卷、退火處理，然后單層覆保護膠膜或多層復合后覆保護膠膜，將覆膜后的帶材通過帶有橫向條紋的碎磁輥進行初步碎磁處理，引入橫向裂紋，再通過帶有網格紋路的碎磁輥進行二次碎磁處理，得到具有橫向裂紋及鱗片狀碎片的納米晶帶材，最后經模切后單層或多層復合處理，得到納米晶隔磁片。本發明的納米晶隔磁片可應用于立式線圈電磁屏蔽，通過引入與立式線圈軸心平行或適當偏轉的橫向裂紋，可減少磁力線損失，降低損耗。
本發明授權一種納米晶隔磁片及其制備方法和應用在權利要求書中公布了：1.一種納米晶隔磁片在立式線圈電磁屏蔽中的應用，其特征在于，所述應用方法為：將納米晶隔磁片纏繞在立式線圈上，使納米晶隔磁片的橫向裂紋與立式線圈的軸心偏轉10~30°；所述納米晶隔磁片通過如下方法制備得到：（1）將納米晶帶材經繞卷、退火處理，然后單層覆保護膠膜或多層復合后覆保護膠膜；（2）將覆保護膠膜的納米晶帶材通過帶有橫向條紋的碎磁輥進行初步碎磁處理，引入橫向裂紋；（3）將初步碎磁處理的納米晶帶材通過帶有網格紋路的碎磁輥進行二次碎磁處理，得到具有橫向裂紋及鱗片狀碎片的納米晶帶材；（4）將步驟（3）所得具有橫向裂紋及鱗片狀碎片的納米晶帶材經模切后單層或多層復合處理，得到納米晶隔磁片。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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