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龍圖騰網(wǎng)恭喜合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119650518B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510174509.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/768；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)是由王文智;張國偉;周文鑫;王建智設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-02-18向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了：本公開涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該方法于第一金屬層結(jié)構(gòu)上形成第一犧牲層，通過刻蝕第一犧牲層形成若干間隔設(shè)置的臺階型第一溝槽，并于第一溝槽內(nèi)形成第二金屬導(dǎo)線和寬度小于第二金屬導(dǎo)線的金屬通孔。接著，去除相鄰第二金屬導(dǎo)線間的第一犧牲層，形成第二溝槽，并于第二溝槽內(nèi)填充介質(zhì)層材料形成第一介質(zhì)層。刻蝕第一介質(zhì)層至露出部分金屬通孔側(cè)壁的第一犧牲層后，去除金屬通孔側(cè)壁的第一犧牲層，使第一介質(zhì)層與金屬通孔之間形成第一氣隙，最后于第二溝槽繼續(xù)填充介質(zhì)層材料，使第一介質(zhì)層的頂面與第二金屬導(dǎo)線的頂面平齊。由于空氣的介電常數(shù)遠(yuǎn)低，第一氣隙的形成降低金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu)之間的電容，改善RC延遲，提高半導(dǎo)體性能。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一金屬層結(jié)構(gòu)，于所述第一金屬層結(jié)構(gòu)上形成第一犧牲層，刻蝕所述第一犧牲層，形成若干間隔設(shè)置的臺階型第一溝槽；于所述第一溝槽內(nèi)形成金屬通孔和第二金屬導(dǎo)線，所述金屬通孔位于所述第一金屬層結(jié)構(gòu)中的第一金屬層和所述第二金屬導(dǎo)線之間，所述金屬通孔的寬度小于所述第二金屬導(dǎo)線；通過刻蝕去除相鄰所述第二金屬導(dǎo)線間的所述第一犧牲層，形成第二溝槽，于所述第二溝槽內(nèi)填充介質(zhì)層材料形成第一介質(zhì)層，其中，在對相鄰所述第二金屬導(dǎo)線之間的所述第一犧牲層刻蝕時(shí)，沿所述第二金屬導(dǎo)線的側(cè)壁朝向基底方向刻蝕所述第一犧牲層；對第一介質(zhì)層進(jìn)行多次自對準(zhǔn)刻蝕，并量測所述第一介質(zhì)層的厚度，直至所述第一介質(zhì)層與所述金屬通孔側(cè)壁之間存在開口為止，所述開口內(nèi)露出所述第一犧牲層，去除所述金屬通孔側(cè)壁的所述第一犧牲層，使所述第一介質(zhì)層與所述金屬通孔之間形成第一氣隙；于所述第二溝槽繼續(xù)填充介質(zhì)層材料，使所述第一介質(zhì)層的頂面與所述第二金屬導(dǎo)線的頂面平齊。

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