買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)恭喜北京清研半導科技有限公司申請的專利一種PVT法制備碳化硅裝置及制備工藝獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114686969B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-20發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210365694.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C30B23/00；該發(fā)明授權(quán)一種PVT法制備碳化硅裝置及制備工藝是由陳鵬飛;梁剛強;苗浩偉設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-04-08向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種PVT法制備碳化硅裝置及制備工藝在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種PVT法制備碳化硅裝置及制備工藝，涉及碳化硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，主要包括爐體、保溫層、生長坩堝、原料坩堝和多孔透氣層；爐體內(nèi)設(shè)置有保溫層，保溫層內(nèi)設(shè)置有生長坩堝，原料坩堝位于生長坩堝內(nèi)，多孔透氣層設(shè)置于原料坩堝的頂部敞口處；爐體與一爐體真空系統(tǒng)相連通，生長坩堝底部與一坩堝真空系統(tǒng)相連通。坩堝完全密封，保證富硅氣氛不會刻蝕坩堝及外部保溫材料，保證外來雜質(zhì)不會進入生長坩堝，減少微管、碳包裹等缺陷產(chǎn)生；延長使用壽命的同時降低了成本；原料坩堝上部放置多孔透氣層，將原料坩堝置于生長坩堝上部，吸附富硅氣氛的同時保證進氣均勻從生長坩堝兩側(cè)均勻擴散至原料坩堝上部，從而保證摻雜穩(wěn)定性及電阻率分布均勻性。

本發(fā)明授權(quán)一種PVT法制備碳化硅裝置及制備工藝在權(quán)利要求書中公布了：1.一種PVT法制備碳化硅裝置，其特征在于，包括爐體、保溫層、生長坩堝、原料坩堝和多孔透氣層；所述爐體內(nèi)設(shè)置有所述保溫層，所述保溫層內(nèi)設(shè)置有所述生長坩堝，所述原料坩堝位于所述生長坩堝內(nèi)，所述多孔透氣層設(shè)置于所述原料坩堝的頂部敞口處；所述爐體與一爐體真空系統(tǒng)相連通，所述生長坩堝底部與一坩堝真空系統(tǒng)相連通；所述生長坩堝采用超高純高密度等靜壓石墨制作，體積密度為1.84~1.95gcm3，平均粒徑為2~5mm；所述原料坩堝采用超高純高密度等靜壓石墨或超高純透氣石墨制作，體積密度為小于或等于1.84gcm3，平均粒徑為3~10mm；所述多孔透氣層為多孔石墨片和多孔金屬碳化物片或表面設(shè)置有金屬碳化物涂層的多孔石墨片，其中，所述多孔透氣層為多孔石墨片和多孔金屬碳化物片時，所述多孔石墨片和所述多孔金屬碳化物片形狀相同，所述多孔石墨片位于所述多孔金屬碳化物片下方；所述多孔透氣層厚度2~5mm，平均孔隙率20-50%，平均孔徑2~5mm。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人北京清研半導科技有限公司，其通訊地址為：101300 北京市順義區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)順義園臨空二路1號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。