恭喜東京毅力科創株式會社田中啟一獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜東京毅力科創株式會社申請的專利基片處理裝置、基片處理方法和存儲介質獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112447502B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-20發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010878313.2，技術領域涉及：H01L21/027；該發明授權基片處理裝置、基片處理方法和存儲介質是由田中啟一設計研發完成，并于2020-08-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本基片處理裝置、基片處理方法和存儲介質在說明書摘要公布了：本發明提供基片處理裝置、基片處理方法和存儲介質。基片處理裝置1包括：在處理容器內保持基片的保持部，其中該基片在表面形成有由ArF液浸光刻用抗蝕劑材料構成的圖案；使保持部旋轉的旋轉驅動部；和具有多個光源的光源部，其對通過旋轉驅動部旋轉的保持部所保持的基片的表面照射包含真空紫外光的光，使從光源部對基片的內側照射光的照射量比從光源部對基片的外側照射光的照射量大。本發明能夠在使用適合于ArF液浸光刻的抗蝕劑材料的基片上改善表面的粗糙度。
本發明授權基片處理裝置、基片處理方法和存儲介質在權利要求書中公布了：1.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：在處理容器內保持基片的保持部，其中所述基片在表面形成有由ArF液浸光刻用抗蝕劑材料構成的圖案；使所述保持部旋轉的旋轉驅動部；和具有多個光源的光源部，其對通過所述旋轉驅動部旋轉的所述保持部所保持的所述基片的表面照射包含真空紫外光的光，所述多個光源的每一者照射從該光源內的點光源出射的具有照射范圍的光，所述多個光源被設置成，在所述基片旋轉時，所述基片的外側比所述基片的內側通過更多的光源的照射區域，所述光源部在一邊利用所述旋轉驅動部使所述基片旋轉一邊利用所述光源部照射光時，使從所述光源部對所述基片的內側照射光的照射量比從所述光源部對所述基片的外側照射光的照射量大，由此，對與所述基片的外側相比移動速度變慢的所述基片的內側增加光的照射量，所述真空紫外光為連續光譜的光，包含波長比160nm長的光和波長比160nm短的光。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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