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龍圖騰網恭喜西安電子科技大學申請的專利一種考慮庫倫散射的MOSFETs柵氧化層陷阱隨位置分布的表征方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115172196B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-20發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210724993.1，技術領域涉及：H01L21/66；該發明授權一種考慮庫倫散射的MOSFETs柵氧化層陷阱隨位置分布的表征方法是由陳華;楊濟寧;何亮;張彥軍;汪顯宇設計研發完成，并于2022-06-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種考慮庫倫散射的MOSFETs柵氧化層陷阱隨位置分布的表征方法在說明書摘要公布了：一種考慮庫倫散射的MOSFETs柵氧化層陷阱隨位置分布的表征方法，選取漏極電壓，對待測MOSFETs器件的轉移特性和不同柵壓下的漏極電流噪聲功率譜進行測量；通過迭代方法確定除氧化層陷阱庫倫散射之外其它所有散射機理決定的溝道載流子遷移率；通過迭代方法確定不同柵壓下的庫倫散射系數以及氧化層陷阱密度隨位置的變化。本發明可應用于不同的偏置條件包括閾值電壓附近及強反型區等，可應用于不同的陷阱位置分布，而不是局限于陷阱隨位置均勻分布或指數分布，能反應同一類樣品不同個體之間的差異性，且具有更強的精度，進而可用于評估MOSFETs的性能和可靠性，可進一步用于指導MOSFETs的制造。

本發明授權一種考慮庫倫散射的MOSFETs柵氧化層陷阱隨位置分布的表征方法在權利要求書中公布了：1.一種考慮庫倫散射的MOSFETs柵氧化層陷阱隨位置分布的表征方法，其特征在于，包括如下步驟：步驟1：選取漏極電壓VD，對待測MOSFETs器件的轉移特性ID-Vg和不同柵壓Vg下的漏極電流噪聲功率譜SId-f進行測量，所述漏極電流噪聲功率譜SId-f是功率譜幅值SId與頻率f的函數，ID表示漏極電流；步驟2：建立離散形式的低頻噪聲模型，通過迭代方法確定除氧化層陷阱庫倫散射之外其它所有散射機理決定的溝道載流子遷移率μ0；包括：2.1、由轉移特性ID-Vg利用得到曲線gm-Vg，代入得到μ隨Vg的變化，表示為μ-Vg；其中，gm為跨導，μ為溝道載流子有效遷移率，W和L分別表示溝道的寬和長，Cox為單位面積氧化層電容；2.2、在柵壓Vg1下，數值求解離散形式的低頻噪聲模型，得到氧化層陷阱密度隨位置的變化Ntzi，此時，SId和f均是m維向量，將SId-f代入離散形式的低頻噪聲模型得到含n個未知數m個方程的線性方程組，通過求解該線性方程組，可得Ntzi；其中，q為電子電量，k為玻爾茲曼常數，T為絕對溫度，n為氧化層劃分的總層數，τ＝τ0expγ·z，τ是時間常數，γ是隧穿系數，z是氧化層的位置坐標，τ0的典型值為10-10s，zi為第i層氧化層中某一位置的坐標，Δzi為劃分的單位氧化層厚度；2.3、將2.2的求解結果Ntzi代入得到氧化層陷阱數的面密度Dot；2.4、對所有的柵壓Vg重復2.2和2.3，得到不同柵壓Vg下的qDot，結合2.1中的μ-Vg，得到和qDot的一一對應關系，利用公式線性擬合出庫倫散射系數αsc；2.5、在柵壓Vg1下，將SId-f和αsc代入包含氧化層陷阱庫倫散射系數αsc的離散形式的低頻噪聲模型得到含n個未知數m個方程的線性方程組，通過求解該線性方程組，可得Ntzi；2.6、將2.5的求解結果Ntzi代入得到氧化層陷阱數的面密度Dot；2.7、對所有的Vg重復2.5和2.6，得到不同柵壓下的qDot，結合步驟2.1中的μ-Vg，得到和qDot的一一對應關系，利用公式線性擬合出和αsc,new，αsc,new為采用迭代方法更新后的庫倫散射系數；2.8、判斷步驟2.5采用的αsc和步驟2.7輸出的αsc,new絕對值的誤差是否小于設定的閾值c，如果成立，輸出步驟2.7的μ0，迭代停止；如果不成立，令αsc＝αsc,new，重復2.5～2.8；步驟3：通過迭代方法確定不同柵壓Vg下的庫倫散射系數αsc以及氧化層陷阱密度隨位置的變化Ntzi，包括：3.1、在柵壓Vg1下，將步驟1的測量結果SId-f和步驟2.8或步驟3.4的αsc代入包含氧化層陷阱庫倫散射系數αsc的離散形式的低頻噪聲模型得到含n個未知數m個方程的線性方程組，通過求解該線性方程組，可得Ntzi；3.2、將步驟3.1的求解結果Ntzi代入得到氧化層陷阱數的面密度Dot；3.3、根據2.1中的μ-Vg，找到柵壓Vg1下的與步驟3.2得到的Dot一起代入公式求解方程得到αsc,new；3.4、判斷步驟3.1使用的αsc和步驟3.3得到的αsc,new絕對值的誤差是否小于設定的閾值c，如果成立，輸出αsc和3.1的Ntzi，迭代停止；如果不成立，令αsc＝αsc,new，重復3.1～3.4；3.5、對所有的柵壓都重復3.1～3.4，以獲得所有柵壓下的αsc和Ntzi。

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