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龍圖騰網恭喜羅伯特·博世有限公司申請的專利垂直功率晶體管和用于制造垂直功率晶體管的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112424942B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980047452.6，技術領域涉及：H10D62/822；該發明授權垂直功率晶體管和用于制造垂直功率晶體管的方法是由H·鮑托爾夫;A·格拉赫;S·施魏格爾設計研發完成，并于2019-06-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本垂直功率晶體管和用于制造垂直功率晶體管的方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種具有半導體襯底2的垂直功率晶體管1，所述半導體襯底包括第一半導體材料并且具有至少一個外延層3，其中，溝槽結構從所述半導體襯底2的表面延伸到所述至少一個外延層3的內部中，其特征在于，所述溝槽結構具有第一區域13，所述第一區域分別從溝槽底部延伸至相應溝槽的確定高度，其中，所述第一區域13包括第一部分區域，所述第一部分區域分別具有第一深度t1和第一寬度w1，其中，所述第一部分區域基本上垂直于所述半導體襯底2的表面延伸，其中，所述第一區域13包括第二部分區域，所述第二部分區域分別具有第二深度和第二寬度w2，其中，所述第二部分區域具有相對于所述半導體襯底2的表面的第一傾斜角度，其中，所述第一區域13包括第三部分區域，所述第三部分區域分別具有第三深度和第三寬度，其中，所述第三部分區域具有相對于所述半導體襯底2的表面的第二傾斜角度，其中，所述第一區域13與源接合部導電連接。

本發明授權垂直功率晶體管和用于制造垂直功率晶體管的方法在權利要求書中公布了：1.垂直功率晶體管1，具有半導體襯底2，所述半導體襯底包括第一半導體材料并且具有至少一個外延層3，其中，溝槽結構從所述半導體襯底2的表面延伸到所述至少一個外延層3的內部中，其特征在于，所述溝槽結構具有第一區域13，所述第一區域分別從溝槽底部延伸至相應溝槽的確定高度，其中，所述第一區域13包括第一部分區域，所述第一部分區域分別具有第一深度t1和第一寬度w1，其中，所述第一部分區域基本上垂直于所述半導體襯底2的表面延伸，其中，所述第一區域13包括第二部分區域，所述第二部分區域分別具有第二深度和第二寬度w2，其中，所述第二部分區域具有相對于所述半導體襯底2的表面的第一傾斜角度，其中，所述第一區域13包括第三部分區域，所述第三部分區域分別具有第三深度和第三寬度，其中，所述第三部分區域具有相對于所述半導體襯底2的表面的第二傾斜角度，其中，所述第二部分區域和所述第三部分區域關于相應溝槽的中垂線對稱地布置，使得其形狀基本上是V形，其中，V形的敞開側朝著第二金屬層15的方向指向，所述第二金屬層15布置在所述半導體襯底2的后側上，其中，所述第一區域13與源接合部導電連接。

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