恭喜德克薩斯儀器股份有限公司賈驕獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜德克薩斯儀器股份有限公司申請的專利翹曲減少的溝槽電容獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111630655B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980009702.7，技術領域涉及：H10D1/60；該發明授權翹曲減少的溝槽電容是由賈驕;Z·馮;H·林;劉運龍;M·賈因設計研發完成，并于2019-01-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本翹曲減少的溝槽電容在說明書摘要公布了：溝槽電容150包括基底102的摻雜半導體表層104中的溝槽。至少一個介電層110給溝槽的表面加襯。摻雜的第二多晶硅層114位于填充溝槽的介電層110上的第一多晶硅層112上。與第一多晶硅層112相比，第二多晶硅層114具有更高的摻雜水平。
本發明授權翹曲減少的溝槽電容在權利要求書中公布了：1.一種形成溝槽電容的方法，所述方法包括：在基底的摻雜半導體表面層中形成多個溝槽；形成給所述多個溝槽的表面加襯的介電層；在所述介電層上沉積未摻雜的第一多晶硅層；在未摻雜的所述第一多晶硅層上沉積第二多晶硅層以填充所述多個溝槽；摻雜所述第二多晶硅層；使用掩蔽層圖案，進行頂面多晶硅蝕刻，以在橫向于所述多個溝槽的區域中回刻所述第一多晶硅層，并且留下所述第一多晶硅層的剩余部分，所述剩余部分將所述多個溝槽中的第一溝槽內的所述第二多晶硅層的第一部分電連接到所述多個溝槽中的第二溝槽內的所述第二多晶硅層的第二部分；以及還包括在沉積所述第二多晶硅層之后，從所述基底的背面去除所述第一多晶硅層和所述第二多晶硅層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人德克薩斯儀器股份有限公司，其通訊地址為：美國德克薩斯州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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